Известны способы получения контакта металла с полупроводником путем нанесения одного или нескольких металлических слоев. Такие способы используются при создании однослойных или многослойных контактов с сохранением структуры наносимых слоев для последующего присоединения выводных электродов пайкой или термокомпрессией. С целью улучшения электрических и механических свойств контакта и для получения контакта с одновременным присоединением выводного электрода наносят металлические СЛОИ общей толщиной менее ЮООА при температуре не ниже 400 °С, а затем вплавляют электродный материал при температуре эвтектики электродный материал - полупроводник. В образующейся жидкой фазе состава вплавляемый материал - полупроводник структура наносимых слоев металла в процессе сплавления не сохраняется. В результате металлизации окислы на поверхности полупроводника частично восстанавливаются, окисная пленка разрушается -и сплавлением получают контакт металла с полупроводником. Для металлизации могут применяться металлы, обладающие большой свободной энергией образования окислов, например титан, ниобий, гафний, хром и другие, а в качестве второго слоя - никель, серебро и другие коррозионностойкие при повышенных температурах металлы, которые предохраняют первый слой от окисления. Пример. Пластины кремния перед нанесением титана промывают в дионизованной воде и обезжиривают в ССЦ. Титан наносят при температуре подложки 500-800 °С в вакууме 10 мм рт. ст., а затем наносят пленку никлея. Общая толщина слоев меньше Перед сплавление кристаллы кремния обезжиривают. Электродный материал, например золото, нанесенное на выводной электрод, и кристаллы загружают в кассету которая обеспечивает давление на систему кристалл - электродный материал не менее 1 . Сплавление проводят в вакууме не ниже 10 мм рт. ст. при температуре на кассете выше электрической температуры кремний - золото на 80-100°С. Полученный контакт обладает сложной конфигурацией, имеет высокую механическую прочность и малое электрическое сопротивление.
Применяя указанные технологические,,прие-. мы, можно получить как невыпрямляющий, так и выпрямляющий контакты, если вместо золота выбрать другие электродные материалы.
Предмет изобретения
Способ получения контакта металла с полупроводником путем нанесения одного ,или нескольких металлических слоев, отличающийся тем, что, с целью улучшения механических и электрических свойств контакта, наносят слои
общей толщиной менее 1000А нри температуре не ниже 400 °С, а затем проводят вплавление электродного материала при температуре не ниже температуры эвтектики электродный материал - полупроводник.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
СПОСОБ СПЛАВЛЕНИЯ | 2014 |
|
RU2564685C1 |
Способ изготовления преобразователей изображений | 1981 |
|
SU965317A1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СОЛНЕЧНОГО ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ | 2010 |
|
RU2437186C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКОГО КОНТАКТА С НИЗКИМ УДЕЛЬНЫМ СОПРОТИВЛЕНИЕМ К ПАССИВИРОВАННОЙ НИТРИД-ГАЛЛИЕВОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЕ НА КРЕМНИЕВОЙ ПОДЛОЖКЕ | 2020 |
|
RU2748300C1 |
ЕМКОСТНОЙ ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ, УСТАНАВЛИВАЕМЫЙ НА ПОДСТАВКЕ (ВАРИАНТЫ), СНИЖАЮЩАЯ ДАВЛЕНИЕ ПОДСТАВКА И СПОСОБ АНОДНОГО СОЕДИНЕНИЯ ДВУХ ПЛАСТИН | 1993 |
|
RU2120117C1 |
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДАТЧИК УЛЬТРАФИОЛЕТОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ | 2001 |
|
RU2178601C1 |
СПОСОБ СОЗДАНИЯ КОНТАКТНЫХ СЛОЕВ НА ПОВЕРХНОСТИ ОПТИЧЕСКИХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛОВ ТИПА AB | 1989 |
|
RU1725700C |
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДАТЧИК ГАЗОВ | 1997 |
|
RU2114422C1 |
СВЕТОИЗЛУЧАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО, ПРИСОЕДИНЕННОЕ К ОПОРНОЙ ПОДЛОЖКЕ | 2012 |
|
RU2604956C2 |
СВЧ ГИБРИДНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА И СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ | 2004 |
|
RU2287875C2 |
Даты
1969-01-01—Публикация