СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КОНТАКТА Советский патент 1969 года по МПК H01L21/40 

Описание патента на изобретение SU243740A1

Известны способы получения контакта металла с полупроводником путем нанесения одного или нескольких металлических слоев. Такие способы используются при создании однослойных или многослойных контактов с сохранением структуры наносимых слоев для последующего присоединения выводных электродов пайкой или термокомпрессией. С целью улучшения электрических и механических свойств контакта и для получения контакта с одновременным присоединением выводного электрода наносят металлические СЛОИ общей толщиной менее ЮООА при температуре не ниже 400 °С, а затем вплавляют электродный материал при температуре эвтектики электродный материал - полупроводник. В образующейся жидкой фазе состава вплавляемый материал - полупроводник структура наносимых слоев металла в процессе сплавления не сохраняется. В результате металлизации окислы на поверхности полупроводника частично восстанавливаются, окисная пленка разрушается -и сплавлением получают контакт металла с полупроводником. Для металлизации могут применяться металлы, обладающие большой свободной энергией образования окислов, например титан, ниобий, гафний, хром и другие, а в качестве второго слоя - никель, серебро и другие коррозионностойкие при повышенных температурах металлы, которые предохраняют первый слой от окисления. Пример. Пластины кремния перед нанесением титана промывают в дионизованной воде и обезжиривают в ССЦ. Титан наносят при температуре подложки 500-800 °С в вакууме 10 мм рт. ст., а затем наносят пленку никлея. Общая толщина слоев меньше Перед сплавление кристаллы кремния обезжиривают. Электродный материал, например золото, нанесенное на выводной электрод, и кристаллы загружают в кассету которая обеспечивает давление на систему кристалл - электродный материал не менее 1 . Сплавление проводят в вакууме не ниже 10 мм рт. ст. при температуре на кассете выше электрической температуры кремний - золото на 80-100°С. Полученный контакт обладает сложной конфигурацией, имеет высокую механическую прочность и малое электрическое сопротивление.

Применяя указанные технологические,,прие-. мы, можно получить как невыпрямляющий, так и выпрямляющий контакты, если вместо золота выбрать другие электродные материалы.

Предмет изобретения

Способ получения контакта металла с полупроводником путем нанесения одного ,или нескольких металлических слоев, отличающийся тем, что, с целью улучшения механических и электрических свойств контакта, наносят слои

общей толщиной менее 1000А нри температуре не ниже 400 °С, а затем проводят вплавление электродного материала при температуре не ниже температуры эвтектики электродный материал - полупроводник.

Похожие патенты SU243740A1

название год авторы номер документа
СПОСОБ СПЛАВЛЕНИЯ 2014
  • Ксенофонтов Олег Петрович
RU2564685C1
Способ изготовления преобразователей изображений 1981
  • Вашурин П.В.
  • Компанец И.Н.
  • Парфенов А.В.
  • Пчельников Ю.Н.
  • Денисов А.Ф.
  • Шатровская З.П.
SU965317A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СОЛНЕЧНОГО ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ 2010
  • Андреев Вячеслав Михайлович
  • Солдатенков Федор Юрьевич
  • Сорокина Светлана Валерьевна
  • Хвостиков Владимир Петрович
RU2437186C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКОГО КОНТАКТА С НИЗКИМ УДЕЛЬНЫМ СОПРОТИВЛЕНИЕМ К ПАССИВИРОВАННОЙ НИТРИД-ГАЛЛИЕВОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЕ НА КРЕМНИЕВОЙ ПОДЛОЖКЕ 2020
  • Беспалов Владимир Александрович
  • Переверзев Алексей Леонидович
  • Егоркин Владимир Ильич
  • Журавлёв Максим Николаевич
  • Земляков Валерий Евгеньевич
  • Неженцев Алексей Викторович
  • Якимова Лариса Валентиновна
RU2748300C1
ЕМКОСТНОЙ ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ, УСТАНАВЛИВАЕМЫЙ НА ПОДСТАВКЕ (ВАРИАНТЫ), СНИЖАЮЩАЯ ДАВЛЕНИЕ ПОДСТАВКА И СПОСОБ АНОДНОГО СОЕДИНЕНИЯ ДВУХ ПЛАСТИН 1993
  • Чарлз Р.Уиллкокс
  • Кевин Р.Леви
  • Эрик П.Питерсен
  • Ларри А.Пейтерсен
RU2120117C1
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДАТЧИК УЛЬТРАФИОЛЕТОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ 2001
  • Афанасьев А.В.
  • Ильин В.А.
  • Петров А.А.
RU2178601C1
СПОСОБ СОЗДАНИЯ КОНТАКТНЫХ СЛОЕВ НА ПОВЕРХНОСТИ ОПТИЧЕСКИХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛОВ ТИПА AB 1989
  • Карпова А.П.
  • Терейковская О.Ф.
  • Загоруйко Ю.А.
  • Комарь В.К.
RU1725700C
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДАТЧИК ГАЗОВ 1997
  • Рембеза С.И.
  • Ащеулов Ю.Б.
  • Свистова Т.В.
  • Рембеза Е.С.
  • Горлова Г.В.
RU2114422C1
СВЕТОИЗЛУЧАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО, ПРИСОЕДИНЕННОЕ К ОПОРНОЙ ПОДЛОЖКЕ 2012
  • Бхат Джером Чандра
  • Акрам Салман
  • Стейджеруолд Дэниел Александер
RU2604956C2
СВЧ ГИБРИДНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА И СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ 2004
  • Берлин Евгений Владимирович
  • Сейдман Лев Александрович
RU2287875C2

Реферат патента 1969 года СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КОНТАКТА

Формула изобретения SU 243 740 A1

SU 243 740 A1

Даты

1969-01-01Публикация