Известны способы контроля толщины тонких пленок в процессе напыления в вакууме, заключающиеся в том, что на контролируемую пленку от источника света направляют световой поток, определяют величину интенсивности прошедшего через контролируемую пленку светового потока, по которой судят о толщине пленки. Однако эти способы имеют недостаточную точность контроля, когда оптические толщины слоев покрытия не кратны четверти одной и той же длины волны.
Предлагаемый способ отличается от известных тем, что величину интенсивности прошедшего через контролируемую пленку светового потока в зависимости от длины волны определяют спектральны.м прибором в диапазоне длин волн, перекрывающем не менее половины октавы.
Это позволяет повысить точность контроля толщины пленок.
Описываемый способ заключается в следующем.
Контроль толщины пленки в процессе напыления слоев производят по одной из подложек, помещенных в вакуумную камеру, с помощью фотометрического устройства. На эту подложку направляют световой поток от источника сплошного спектра, например лампы накаливания. Световой поток, прошедший через обрарезц, направляют в расположенный вне вакуумной камеры сканирующий спектральный прибор.
Вследствие сканирования на фотоэлектрический приемник, установленный за спектральным прибором, попадает излучение с изменяющейся во времени длиной волны. Снимаемый с фотоприемника сигнал подается на усилитель вертикального отклонения осциллографа. Горизонтальная развертка осциллографа управляется датчиком системы сканирования, сигнал с которого пропорционален длине волны света, попадающей в данный момент на приемник.
Полученная на экране осциллографа кривая характеризует спектральное пропускание об.разца с нанесенной на него контролируемой пленкой. Для определения момента, когда толщина пленки достигает требуемой величины,
необходимо сравнивать полученную на экране кривую пропускания с расчетной. В момент, когда обе кривые наиболее близки по форме, напыление прекращают.
Для получения достаточной точности контроля толщин пленок требуется сравнивать формы расчетной и полученной в процессе нанесения кривых в области спектра, перекрывающего не менее половины октавы по шкале 3 Предмет изобретения Способ контроля толщины тонких пленок в, процессе напыления в вакууме, заключающийСИ в том, что на контролируемую пленку от5 источника света направляют световой поток, определяют величину интенсивности прошедшего через контролируемую пленку светового 4 потока, по которой судят о толщине пленки; отличающийся тем, что, с целью повышения точности контроля, величину интенсивности прошедшего через контролируемую пленку светового потока в зависимости от длины волны определяют спектральным прибором в диапазоне длин волн, перекрывающем не менее половины октавы.
