СПОСОБ ВЫПОЛНЕНИЯ ЗНАКОВ СОВМЕЩЕНИЯ НА ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ПЛАСТИНЕ Советский патент 1974 года по МПК H01L21/302 

Изобретение отно1сится К техно.югии производства ко-мпонентов радиоапнарагуры, в частности интегральных ми-кросхем.

Известен Способ выполнения Знаков совмещения на поЛупроводникавой пластине, например кремниевой, включаюпд.ий предварительное полирование и 01кисление поверхности пластины, а затем сквозное избирательное травление Плешси двуокиси кремния по о;пределенному ри1сунку. При совмещении фотошаблона с пластиной используют оптический контраст разности отражения светового потока от поверхности пленки двуокиси кремния и микроуглублений.

Однако полученные известным способом знаки совмещения ие выдерживают длительной высокотемпературной обработки в окислительной среде, причем из-за ок1ИСления размеры знаков совмещения изменяются, что приводит к изменению раостояний .между HHIMH и изменению оптического «онтраста знако1В.

Цель изобретения - повышение стой-кости знаков совмещения к окислению и обеспечение их высокой контрастнасти по отношению к окиСному слою.

Предлагаемый способ отличается тем, что в пpипoiвepxнQcтныx слоях пластины формируют дислокационные области путем электроннолучевой обработки пластины по заданному рисунку, затем методом фотолитографии вокрынают в окисном слое окна по заданному рисунку и обнаженные участки поверхности пластины путем вытравливания на них дислокаций.

Согласно данному способу предварительно полированные и окисленные полупроводниковые пластины, например кремниевые, подвергают MCiCTHOMy электроннолучевому нагреву по заданному рисунку. Режим электроннолучевой обработки подбирают таким образом, чтобы в приповерхностных слоях пластины формировались дислокационные области с плотностью дислокаций выше 1.10 см. Затем методом фотолитографии в обработанных электронным лучом областях пластины в окисном слое вскрывают по заданному рнсунку окна и обнаженные участки поверхности пластины матируют путем вытравливания на них дислокаций. Травитель может быть составлен из 1 вес. ч. HF и 2 вес. ч. 25%-НОГО раствора СгОз в воде.

Предмет изобретения

1. Способ выполнения знаков -совмещения на полупроводниковой пластине, например кремниевой, включающий яредварительное полирование и окисление по1верхности пластины, отличающийся тем, что, с целью повышения стойкости знаков совмещения к окислению и обеспечения их высокой контрастности по от3ношению к окисному слою, в приповерхностных слоях пластины формируют дислокационные области, затем методоМ фотолитографии вскрывают IB окисном слое о«на по заданному рисунку и матируют обнаженные участки по- 5 4 верхности пластины путем вытравливания на них дислокаций. 2. Способ по л. 1. отличающийся тем, что дислокационные области формируют путем электронно-лучевой обработки пластины по заданному рисунку.