ОПТОЭЛЕКТРОННОЕ ПОСТОЯННОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕУСТРОЙСТВО Советский патент 1969 года по МПК G11C17/00 G11C11/42 

Изобретение относится к области оптоэлектроники и вычислительной техники.

Известно постоянное оптоэлектронное запоминающее устройство, содержащее матрицы фотоизлучателей и фотоприемников, выполненные на р-«-структуре с .проводящими горизонтальными и вертикальными шинами.

Предложенное устройство отличается тем, что в матрице фотоприемниКОв базовая область выполнена общей для всех элементарных фотоприемников и подсоединена к точке с постоянным электрическим потенциалом, а р-п-переходы выполнены в виде пятен, причем каждый фотоприе.мни1К соединен в соответствии с записанной и-нформацией проводящими перемычками с разрядными ш-инами, «расположенными на наружной поверхности, матрицы фотоприемников.

Предложенная конструкция устройства позволяет не вводить специальный электрический экран между матрицей излучателей и матрицей фотоприемников за счет заземления (под ключения к точке схемы с постоянным электриче.ск1им потенциалом) общей - базовой (прозрачной) области фотоприемной матрицы, что упрощает конструкцию оптоэлектронной матрицы и позволяет уменьшать расстояние от излучателей до фотоприемников, т. е. снизить оптические потери. Кроме того, выполнение внещних соединений упрощает процесс смены информации.

На чертеже представлено описываемое оптоэлектронное постоянное запоминающее устройство в разрезе, содержащее: матрицу излучателей /, матр1щу фотоприемников 2 с базоВОЙ областью 3, коллекторными областями 4 элементарных фотоприемников, с -контактными перемычками 5 и выходными разрядными шинами 6. Матрица излучателей выполнена на арсенвдгаллиевой пластине с р-«-структурой, побласть является общей для всех излучателей, р-п-переходы имеют конфигурацию пятен. Электрические контакты от р-областей элементарных излучателей объединены входными

шинами по столбцам матрицы.

Матрица фотоприемников 2 выполнена на кремниевой пластине с р-«-структурой. Базовая (прозрачная) область 3 матрицы является общей и подключена к точке схемы с постоян.ным электрическим потенциалом. Электрические контакты коллекторных областей 4 элементарных фотоприемнИКОВ расположены с наружной стороны матрицы и, в соответствип с кодами хранимых чисел, с помощью проводящих перемычек (5) подключены к выходным (разрядным) щилам матрицы фотоприемников. Элементарные фотоприемники, подключаемые к одной разрядной шине, образуют строку матрицы.

-излучателей подается импульс тока, котопыч .преооразуегся в р-/г-переходах излучателе; выбранного столбца в световые импульсы Цостигая поверхности р-«-переходов элементарных фотоприемников, соответствующих выбранному столбцу, световые импульсы вызывают йыходньГе-фотоснгн лы на контактах коллекторных йбласте фбтоприемиикоз. Если данный контакт соединен с помощью проводя-щей Перемычаш с выходной (-разрядной) шиной матрицы фотолр-иемников, то с шины считывается -сигнал «1. Если контакт коллекторно области соответствующего элементарного фотопр.иемника не подключен к выходной шине то с шины считывается сигнал «О.

Поскольку общая (базовая) область матрицы фотоприемииков, подключенная к точке -схемы с постоянным электрическим потенциалом, расположена между токонроводящимн непям.и матрицы излучателей и выходными цепями матрицы фотоприемнлков, то паразитмая емкостная связь между указанными элекгр-иче.скими цепями практически сведена к минимуму.

Предмет изобретения Оптоэлектронное постоянное заноминающее устройство, содержащее матрицы фотоизлучателей и фотаприемников, выполненные на р-«-структуре с проводящими горизонтальными и вертикальньпми шинами, отличающееся тем, что, с целью упрощения и уменьшения емишстных номех, в матрице фотоприемников оазовая область выполнена общей для всех элементарных фотоириемников и подсоединена к точке с постоянным электрическим потенциалом, а р-я-переходы .выполнены в виде пятен, причем каждый фотоприемник соединен в соответствии с записанной информацией проводящими перемычками с разрядными шинами, расположенными на наружной поверх ;ости матрицы фотоприемнцков.

/3zt2Z3zia/71

б oWob

о о и

в е

j