СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ Л\НОГОСЛОЙНОЙ ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ СТРУКТУРЫ Советский патент 1969 года по МПК H05K3/18 

Настоящее изобретение относится к области микроэлектроники, а именно, к способу изготовления многослойных тонкопленочных структур.

Известен способ изготовления тонкопленочных многослойных структур, в соответствии с которым на каждый токопроводящий слой наносят диэлектрический слой, имеющий толщину несколько меньше расчетной, обрабатывают токопроводящий слой травителем, не воздейст.вующим на магериал диэлектрического слоя, доводят толщину диэлектрика до расчетной, наносят второй токопроводящий слой и производят выжигание контактных мостиков электрическим током.

Однако при использовании известного способа образуется больщое число токопроводящих мостиков, удаление которых затруднено.

Целью настоящего изобретения является уменьшение количества токопроводящих мостиков, улучшение параметров тонкопленочной структуры и упрощение технологии изготовления структуры.

Для этого на слой металла, служащий токопроводом, через маску наносят диэлектрический слой, имеющий толщину несколько меньще расчетной. Затем через эту же маску напыляют слой активного вещества, способного вступать с металлом в химическую реакцию

под действием излучения. Это активное вещество находится в непосредственном соприкосновении с металлом токопроводящего слоя только в тех местах, в которых слей диэлектрика имеет отверстия. Под действием излучения в тех местах, где слой активного вещества соприкасался с металлом проводящего слоя, происходят фотохимические превращения. Затем активное вещество, а если это необходимо,

то и продукты реакции растворяют или удаляют каким-либо другим образом, доводят толщину диэлектрика до расчетной, напыляют второй токопроводящий слой и проводят выжигание контактных мостиков электрическим

током.

Применение описанного способа изготовления многослойных тонкопленочных структур устраняет необходимость защищать материал токопроводов, не закрытых диэлектрическими слоями.

В случае использования в качестве материалов токопроводов меди, серебра, золота и других металлов, в качестве активного вещества можно применять легко напыляемые соединения АзгЗз, А825з, PbJ2 и другие вещества, вступающие в химическую реакцию с указанными материалами токопроводов только под дейст3Предмет изобретения Способ изготовления многослойной тонкопленочной структуры, состоящей из чередующихся токопроводящих и разделяющих их5 слоев диэлектрика, основанный на последовательном нанесении указанных слоев и последовательной доводке толщины каждого диэлектрического слоя до номинального значения, производимой после удаления токопроводящегою материала с дефектных участков диэлектрического слоя, имеющего толщину несколько меньше расчетной, и выжигания электротоком меж25397 4 слойных контактных мостиков с токопроводящей поверхности, отличающийся тем, что, с целью уменьшения количества межслойных токопроводящих мостиков и упрощения процесса удаления их, на каждый диэлектрический слой через маску, которая применялась для напыления диэлектрика, наносят светочувствительный материал, который под действием света или какого-либо облучения вступает в химическую реакцию с токопроводящим материалом, находящимся в порах диэлектрического слоя, после чего слой светочувствительного материала и, если это нужно, продукты реакции удаляют.