СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРИОТРОННЫХ СХЕМ Советский патент 1971 года по МПК H05K3/06 

Р1зобретение отиосится к области микроэлектроники и может использоваться для построения многослойных криотронпых схем с элементами микронных и субмикронных размеров.

Известный снособ изготовления криотроиных схем состоит в том, что сверхпроводящне и изолирующие материалы наныляют в вакууме через механические маски. Этот способ прост, но не нозволяет изготавливать криотронные элементы малых размеров. Известен также способ изготовления криотроиов малых размеров с применением фоторезиста. В этом случае на подложку напыляют равномерный слой металла (например олова или свинца), наносят на нее фоторезист, который экснонируют через трафарет, и после удаления неполимеризовавшихся участков нолучают окна в фоторезисте. Травлением металла через окна нолучают илепки иеобходимой конфигурации, носле чего фоторезист удаляют. С иомощью фотолитографии изготавливают криотроны малых размеров, но для этого требуется большое количество технологических операций.

Цель изобретения - новысить точность изготовления схем.

лото или серебро), на него наносят TOHKHII слой актнвного матернала (например РЬЬ, Аз25з и др.), вступающего в химическую реакцию со слоем защитного металла только под действием света или какого-либо иного излучеиия, облучают полученную систему, затем удаляют травлением или каким-либо иным образом слой активного лгатериала и продукты реакции, селективным травителем удаляют незащищеиные участкн сверхпроводящего .материала и, если это иеобходимо, слой защитного металла, носле чего наносят изолирующий и следующий слой сверхпроводящего материала.

На подложку или промежуточпый слой панесен слой сверхпроводящего материала (нанример, олова или свиица). Иа этот слой иапыляется TOHKHii защитный слой из малоактивного материала, например золота или серебра, толщиной 30-150 inr, а на него - слой активного материала, ианример РЬЬ, или AsS.i, или AsoSs, встунающего в хнмическую реакцию с защитным слоем только нод действием какого-либо излучения, например рентгеновского, или потока электронов. После облучения системы рентгеиовским излуче)1ием и потоком электронов защнтный слой и слой активного матернала вступают в химнческую реакщио в лге.стях облучения.

.ia.i;ni грав., сублимированием или каким-.1и6(1 иным сисхобом материа.; слоя и:; актив ого материала и иродукты реакции в местах облучения, получают защнтиыи слой необходимой коифигурации. С иомои,ило селективиого растворителя через окиа в защитиом слое вытравливают иезащищеииые участки сверхпроводящего материала. После этого при пеобходимости удаляют слой защитного материала.

П р е д- м е т изобретения

Способ изготовления криотронных схем, основанный на покрытии слоя сверхпроводящего материала защитным слоем, требуемой копфигурации, травлении свободиых ol заиапного с-а(1ц учасгков СБер;:пр:11.1Дящ;то ма ти)иа.па и уда.чсини .чаииппого с.юя, тличитщийся тем, что, с целью повышепия точности изготовления схем, защитный слой получают иапесеинем на сверхпроводянип материа.1 илеики малоактивного материала, жшример золота или серебра, покрытием указавши пленки слоем активного материала, например РЫг или As2S3, вступающим в химическую реакцию с малоактивным материалом иод действием излучеиия, например рентгеновского, или потока электронов, облучают активный материал через маску и удаляют, например травлением, слой активного вещества и продукты реакции с участков, подвергнутых облучению.