Изобретение относится к области запоминающих устройств.
Известен пленочный -ферритовый интегральлый элемент .памяти, содержащий подложку с .нанесенной на ией ферритовой пленкой.
Недостаток такого элемента памяти состоит в том, что в них форма как статической, так и динамической петли гистерезиса имеет плохую прямоуголвность, вследствие чего возникают большие помехи. Подложка ферритовых пленочных элементов памяти выполняет конструктивную роль или фуикции токоведущих шин.
В Предложенвом устройстве с щелью значительного улучшения формы петли гистерезиса и снижения величины помехи .при считывании информации ферритовая пленка нанесена на подложку, выполненную из льезокерамики с двумя электродами на противоположных торцах, а в подложке и пленке проделаны отверстия.
При воздействии В1нешних сжимаюш,их механических напряжений на ферриты магниймарганцевой системы их магнитные свойства изменяются: форма петли гистерезиса становится более Прямоугольной, т. е. увеличиваются коэффициенты квадратности и прямоугольнасти, коэрцитивная сила несколько уменьшается. Для создания сжимающих внешних напряжений в момент считывания
информации с пластины памяти используется пьезоэффект.
На чертеже показана пластина памяти.
Ферритовая пленка / осаждена на вьгполненную из пьезокерамики подложку 2 (иапример, ЦТС-19, КНБС-47/53 и др.), на боковой поверхности .которой нанесены электроды 3. Система подложка-Пленка имеет группу отверстий, через которые проходят электричеокие .проводники (на чертеже не показаны).
На электроды 3 подается постоянное или переменное напряжение синхронио ic импульсом записи - считывания и, вследствие пьезоэффекта, механические напряжения, связанные с изменением расстояния между электродами, передаются на пленку. Таким образом, ферритовые пленочные элементы находятся под постояяным либо под переменным механическим .напряжением, что улучшает магнитные характеристики ячеек памяти.
Предмет изобретения
Пластина памяти, содерл ащая подложку с нанесенной на ней ферритовой пленкой, отличающаяся тем, что, с делью улучшения параметров ячеек памяти, подложка; выполнена из пьезокерамики с двумя электродами на противоположных торцах, а в подложке и пленке проделаны отверстия.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО ОБРАБОТКИ ДАННЫХ | 1998 |
|
RU2184400C2 |
ВСТРАИВАЕМАЯ С СБИС ТЕХНОЛОГИИ КМОП/КНИ ПАМЯТЬ "MRAM" И СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ (ВАРИАНТЫ) | 2012 |
|
RU2532589C2 |
ФЕРРОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ЗАПОМИНАЮЩИЙ КОНТУР И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ | 2001 |
|
RU2259605C2 |
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ МАГНИТОРЕЗИСТИВНОГО ЭЛЕМЕНТА ПАМЯТИ НА ОСНОВЕ ТУННЕЛЬНОГО ПЕРЕХОДА И ЕГО СТРУКТУРА | 2012 |
|
RU2522714C2 |
СПОСОБ ЗАПИСИ И ВОСПРОИЗВЕДЕНИЯ ИНФОРМАЦИИ | 1973 |
|
SU376802A1 |
Матрица для запоминающего устройства | 1975 |
|
SU674099A1 |
МАТЕРИАЛ ДЛЯ ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ | 1993 |
|
RU2155994C2 |
Нейристор | 1973 |
|
SU509918A1 |
Элемент памяти | 1986 |
|
SU1522285A1 |
КОМПОЗИЦИЯ МАТЕРИАЛА ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА, СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ, ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО, СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ, СПОСОБ ЗАПОМИНАНИЯ И ВОСПРОИЗВЕДЕНИЯ ДВУХ НЕЗАВИСИМЫХ БИТ ДВОИЧНЫХ ДАННЫХ В ОДНОЙ ЯЧЕЙКЕ ПАМЯТИ ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА | 1993 |
|
RU2124765C1 |
Даты
1970-01-01—Публикация