ПЛАСТИНА ПАМЯТИ Советский патент 1970 года по МПК G11C5/02 G11C11/06 

Описание патента на изобретение SU262970A1

Изобретение относится к области запоминающих устройств.

Известен пленочный -ферритовый интегральлый элемент .памяти, содержащий подложку с .нанесенной на ией ферритовой пленкой.

Недостаток такого элемента памяти состоит в том, что в них форма как статической, так и динамической петли гистерезиса имеет плохую прямоуголвность, вследствие чего возникают большие помехи. Подложка ферритовых пленочных элементов памяти выполняет конструктивную роль или фуикции токоведущих шин.

В Предложенвом устройстве с щелью значительного улучшения формы петли гистерезиса и снижения величины помехи .при считывании информации ферритовая пленка нанесена на подложку, выполненную из льезокерамики с двумя электродами на противоположных торцах, а в подложке и пленке проделаны отверстия.

При воздействии В1нешних сжимаюш,их механических напряжений на ферриты магниймарганцевой системы их магнитные свойства изменяются: форма петли гистерезиса становится более Прямоугольной, т. е. увеличиваются коэффициенты квадратности и прямоугольнасти, коэрцитивная сила несколько уменьшается. Для создания сжимающих внешних напряжений в момент считывания

информации с пластины памяти используется пьезоэффект.

На чертеже показана пластина памяти.

Ферритовая пленка / осаждена на вьгполненную из пьезокерамики подложку 2 (иапример, ЦТС-19, КНБС-47/53 и др.), на боковой поверхности .которой нанесены электроды 3. Система подложка-Пленка имеет группу отверстий, через которые проходят электричеокие .проводники (на чертеже не показаны).

На электроды 3 подается постоянное или переменное напряжение синхронио ic импульсом записи - считывания и, вследствие пьезоэффекта, механические напряжения, связанные с изменением расстояния между электродами, передаются на пленку. Таким образом, ферритовые пленочные элементы находятся под постояяным либо под переменным механическим .напряжением, что улучшает магнитные характеристики ячеек памяти.

Предмет изобретения

Пластина памяти, содерл ащая подложку с нанесенной на ней ферритовой пленкой, отличающаяся тем, что, с делью улучшения параметров ячеек памяти, подложка; выполнена из пьезокерамики с двумя электродами на противоположных торцах, а в подложке и пленке проделаны отверстия.

Похожие патенты SU262970A1

название год авторы номер документа
СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО ОБРАБОТКИ ДАННЫХ 1998
  • Гудесен Ханс Гуде
  • Нордаль Пер-Эрик
  • Лейстад Гейрр И.
RU2184400C2
ВСТРАИВАЕМАЯ С СБИС ТЕХНОЛОГИИ КМОП/КНИ ПАМЯТЬ "MRAM" И СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ (ВАРИАНТЫ) 2012
  • Качемцев Александр Николаевич
  • Киселев Владимир Константинович
  • Фраерман Андрей Александрович
  • Ятманов Александр Павлович
RU2532589C2
ФЕРРОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ЗАПОМИНАЮЩИЙ КОНТУР И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ 2001
  • Йоханссон Никлас
  • Чен Личун
RU2259605C2
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ МАГНИТОРЕЗИСТИВНОГО ЭЛЕМЕНТА ПАМЯТИ НА ОСНОВЕ ТУННЕЛЬНОГО ПЕРЕХОДА И ЕГО СТРУКТУРА 2012
  • Гусев Сергей Александрович
  • Качемцев Александр Николаевич
  • Киселев Владимир Константинович
  • Климов Александр Юрьевич
  • Рогов Владимир Всеволодович
  • Фраерман Андрей Александрович
RU2522714C2
СПОСОБ ЗАПИСИ И ВОСПРОИЗВЕДЕНИЯ ИНФОРМАЦИИ 1973
  • А. Гамин, Згл Г. Горшков А. В. Стамое Витковский Т.
SU376802A1
Матрица для запоминающего устройства 1975
  • Самофалов Константин Григорьевич
  • Мартынюк Яков Васильевич
  • Шпак Юрий Иванович
  • Божко Анатолий Афанасьевич
  • Твердов Лев Львович
  • Фаттахов Дамир Кавиевич
SU674099A1
МАТЕРИАЛ ДЛЯ ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ 1993
  • Шимон Гендлин
RU2155994C2
Нейристор 1973
  • Шпади Леонид Васильевич
  • Шпади Андрей Леонидович
SU509918A1
Элемент памяти 1986
  • Каримова Люция Ильясовна
  • Зайнуллин Наиль Рафкатович
SU1522285A1
КОМПОЗИЦИЯ МАТЕРИАЛА ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА, СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ, ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО, СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ, СПОСОБ ЗАПОМИНАНИЯ И ВОСПРОИЗВЕДЕНИЯ ДВУХ НЕЗАВИСИМЫХ БИТ ДВОИЧНЫХ ДАННЫХ В ОДНОЙ ЯЧЕЙКЕ ПАМЯТИ ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА 1993
  • Шаймон Джендлин
RU2124765C1

Иллюстрации к изобретению SU 262 970 A1

Реферат патента 1970 года ПЛАСТИНА ПАМЯТИ

Формула изобретения SU 262 970 A1

SU 262 970 A1

Даты

1970-01-01Публикация