Способ изготовления запоминающей матрицы Советский патент 1992 года по МПК G11C5/12 

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к технологии изготовления запоминающих матриц.

Цель изобретения - повышение технологичности способа изготовления запоминающей матрицы и увеличение плотности информации.

, Поставленная цель достигается тем, что в подложке (из стекла) пористая структура создается путем формирования в ней сквозных отверстий, где в качестве диэлектрических участков, изолирующих отверстия друг от друга, используется материал подложки. Магнитный материал наносится на внутренние стенки отверстий в виде пленки (например, из пермаллоя) путем напыления, где пленка, напыленная на наружные поверхности подложки, стачивается.

Магнитная пленка на стенке отверстия представляет собой один тороидальный микросердечник, который используется как элемент памяти. Оставшийся просвет после напыления магнитной пленки используется в качестве сквозного отверстия для проводников записи и считывания соответствующего микросердечника.

Для создания проводников записи и считывания, для формирования на поверхностях подложки соединительных проводников на поверхности подложки и на стенки отверстий наносятся изоляционная пленка, металлическая пленка и формируются методом фотолитографии на поверхностях подложки соединительные проводники, затем вторично на поверхности подложки и на стенки отверстий наносятся изоляционная пленка, металлическая пленка и формируются на поверхностях подложки также методом фотолитографии соединяющие проводники другого назначения.

На чертеже изображена последовательность предлагаемого способа, вид А. вид Б и вид В.

Способ осуществляют следующим образом.

Создают подложку с пористой структурой в виде сквозных отверстий одним из известных методов, например методом насо

с

грёва материала лучом лазера до1200° С (а). Напыляют на одну из поверхностей подложки пермаллоевую пленку одновременно с напылением пермаллоевой пленки на стенки сквозных отверстий (б). При напылении подложка устанавливается над ванной М, в которой находится напыляемый материал в расплавленном виде. Частицы напыляемого материала, летящие по стрелке С, пролетают сквозные отвёрстйя. Осаждаться на стенки отверстий могут только частицы, летя щие.по стрелке п. Однако их недостаточно для полного напыл ения стенок. Для того, чтобы частицы, летящие по стрелке С, осаждались на стенке отверстий, нужно перемещать подложку горизонтально по кругу (как показано стрелками р) без вращения подложки вокруг какой-либо собственной оси. При таком движении подложки частицы, попавшие в просвет отверстий, неминуемо коснутся стенок отверстий и осядут на них, хотя плотность напыления будет уменьшаться по мере удаления от уровня напыляемого материала из-за разных скоростей полета частиц.

Напыляют пермаллоевую пленку на обратную поверхность подложки и стенки сквозных отверстий (в). При этом стенки отверстий от двухстороннего напыления становятся напыленными равномерно. Стачивают пермаллоевую пленку с обеих поверхностей подложки (г). Пленка остается только на внутренних стенках отверстий (вид А), представляя собой пермаллоевые тороидальные микросердечники.

Напыляют изоляционную пленку (например, из стекла) поочередно (так же, как при операциях б и в) на поверхности подложки и на стенки отверстий (д).

Напыляют металлическую пленку (например, из алюминия) так же поочередно на поверхности подложки и на стенки отверстий поверх изоляционной пленки (е).

Методом фотолитографии (ж) на поверхностях подложки из металлической пленки формируют соединяющие проводники (вид Б, где сплошными линиями обозначены проводники на лицевой поверхности подложки, пунктирными линиями - на обратной стороне подложки).

Вновь на поверхности подложки и на стенки отверстий поверх уже образованных

пленок наносят изоляционную пленку так же, как при операциях бив (з).

Поверх изоляционной пленки (так же, как при операциях б и в) на поверхности

подложки и на стенки отверстий напыляют опять металлическую пленку, например, алюминиевую (и).

Методом фотолитографии (к) на поверхностях подложки из металлической пленки

формируют соединяющие проводники другого назначения (вид В, где сплошными ли- ниями обозначены проводники на лицевой поверхности подложки, пунктирными линиями - на обратной стороне подложки).

Для получения нужных магнитных

свойств образованных тороидальных микросердечников из пермаллоевой пленки магнитное поле задается от внешнего источника или электрическим током по образованным. цепям, пронизывающим микросердечники. Нагрев сердечников до необходимой температуры может производиться путем подогрева полученной матрицы в камере тепла.

Форму л.а изобретения

Способ изготовления запоминающей матрицы, заключающийся в создании пористой структуры в стеклянной подложке, создании в ней диэлектрических участков введении в пористую структуру магнитного материала, формировании в полученных магнитных объемах сквозных отверстий для проводников записи и считывания, создании проводников записи и считывания, формировании на поверхностях подложки соединительных проводников, отличающийся тем, что, с целью повышения технологичности способа и увеличения информационной плотности, после создания

сквозных отверстий в подложке производят напыление магнитной пленки внутри отверстий, наносят на поверхности подложки и внутри отверстий изоляционную пленку, металлическую пленку и формируют методом

фотолитографии на поверхностях подложки соединяющие проводники, вторично наносят на поверхности подложки и на стенки отверстий изоляционную пленку, металлическую пленку и формируют на поверхностях подложки также методом фотолитографии соединяющие проводники другого назначения.

1л

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к технологии изготовления запоминающих матриц. Целью изобретения является повышение технологичности способа изготовления запоминающей матрицы и увеличение .плотности информации. Цель достигается тем, что в подложке (из стекла или меди) формируют сквозные отверстия по одному отверстию на каждый микросердечник, при этом диаметр отверстия равен диаметру микросердечника. Через полученное отверстие -формируют все проводники записи считывания данного микросердечника. Таким образом повышается плотность информации за, счет увеличения количества носителей информации на единицу площади. 1 ил.

ч. /

У

1C

V

у

%:

:Г

U

i EЈJ