ПЛАСТИНА ПАМЯТИ Советский патент 1970 года по МПК G11C11/08 

Изобретение относится к области заноминающих устройств.

Известна пластина памяти, содержащая подложку с отверстиями, в которых нанесена ферритовая нленка.

Ферритовые пластины памяти, изготовленные из ферритов магний-марганцевой систеД1ы, имеют сравнительно низкую температуру Кюри, что ограничивает их применение в широком диапазоне температур.

Известно, что тороидальные сердечники кз никель-цинкового феррита, подвергнутые механическому сжатию, имеют более высокую температуру Кюри.

Целью изобретения является создание интегральной пластины памяти на основе микротороидальных сердечников, которые могут, работать в широком диапазоне температур.

Сущность изобретения заключается в том, что подложка выполнена из материала с коэффициентом термического расширения, большим, чем у феррита.

На чертеже изображена пластина памяти.

Пластина содержит металлическую, например платиновую, подложку / с отверстиями 2, просверленными ультразвуком. В них нанесена пленка никель-цинкового феррита методом газотранспортных реакций. Эта пленка образует микросердечники.

При охлаждении металлическая пластина, имея больший коэффициент термического расширения, сл имает ферритовые микросердечники, и они остаются в сжатом состоянии.

Петля гистерезиса сжатого никель-цинкового тороида приобретает прямоугольную форму, что позволяет его использовать для хранения информации, а температура Кюри их значительно повышается.

Предмет изобретения

Пластина памяти, содержащая подложку с отверстиями, в которых нанесена ферритовая плевка, отличающаяся тем, что, с целью расширения диапазона температуры работы ячеек памяти, подложка выполнена из материала с коэффициентом термического расширения большим, чем у феррита.