РЕЗИСТИВНЫЙ ЭЛЕМЕНТ Советский патент 1970 года по МПК H01C3/02 

Известны конструкции резистивных элементов, содержащие токоподводы и активную часть в виде двух идентичных половин бифилярно сложенных .пластин из электролроводВОго материала с прорезями, разделяющими эти пластины на отдельные элементы сопротивления, расположелные перпендикулярно линии перегиба я подсоединенные к токоподводу параллельно. В этих конструкциях за счет создания п-ного количества прорезей можно .получить в.полне определенные величины -сопротивлений, в ТО.М числе и НИЗКОО;Мные значения, необходимые, например, для шунтов.

Поскольку реакти1вность низкоомных резисторов имеет индуктивный характер, бифилярная конструкция является достаточно эффективной: она существенно уменьшает реактивность шунта.

Однако остаточная реактивность известных низкоомных резисторов обычной би|ф«лярной конструкции имеет все же довольно значительную величину, что ограничивает диапазон их частотной применимости. Что касается поверхяостного эффекта, то IB известных конструк1циях низкоомных резисторов, по существу, не предусмотрено специальных способов для уменьшения влияния этого эффекта, за .исключением общеизвестного стремления уменьшить толщину пластин. Однако этот

способ может иметь ограниченный характер, поскольку для заданной величины поперечного сечения пластин, определяемой допустимой плотностью тока, уменьшение толшины приводит К необходимости увеличения ширины пластин и, следовательно, увеличению поверхностного эффекта в поперечном налрял ении и соответственно к ограничению диапазона частотной применимости.

В предлагаемом резисторе токоподводы выполнены в виде бифилярных пластин, разделенных прорезями на систему отдельных параллельно включенных пластинок. Расстояние между двумя соседними прорезями и .поперечные сечения отдельных пластинок уменьшаются по мере удаления пластинок от продольной оси симметрии резистора, увеличивая .при этом соответственно их сопротивление.

Это снижает реактивные потери, обеспечивает равномер ное распределение плотности тока по всему сечению актнвной части и уменьшает влияние поверхностного эффекта в этой части резистора, что позволяет уменьшить частотную .погрешность и увеличить диапазон частотной пр.именимости низкоомного резистора. лярный резистивный элемент, согнутый .по ЛИНИЙ сгиба А-А, о:бщий вид. Активная часть Б шунта, т. е. та часть, которая находится между точками б и BI присоединения потенциальных отводов к токовым пластинам шунта, разделена прорезями / на ряд пластинок. Токоподводяш,ая часть Г шунта, т. е. та его часть, которая находится активной частью Б и «онтактивными пластиналм 2 шунта, .присоединяемыми к внешней цепи, выполнена в виде бифилярных изолированных друг от друга пластин, в которых также выполнены лрорези 3, превраш,аюш,ие сплошную иластину токоподвода в систему элементарных токоподводящих пластинок. Прорези на токоподводах расположены симметрично относительно оси симметрии щунта, пр-ичем расстояние между двумя соседними .прорезя.ми, то есть ширина, а следовательно, и сечение элементарных токоподводящих пластинок уменьшается по мере их удаления от продольной оси симметрии к краям шунта. Поэтому электрическое сопротивление отдельных токоподводящих пластинок оказывается неодинаковым: по мере удаления нластинок от оси симметрии шунта оно будет возрастать. Известно, что поверхностный эффект приводит к вытеснению тока от внутренних частей любого проводника к .периферийным частям. Перераспределение плотности тока, т. е. увеличение ее по мере удаления от внутренних частей провода к периферийным, происходит для данной частоты или заданного диапазона частот по вполне определенному закону. По такому же закону распределены и лрорези в токоподводящей части шунта7 вследствие чего в тех частях шунта, где действие поверхностного эффекта приводит к увеличению плотности тока, оказываются элементарные пластинки с большим электрическим сопротивлением и, наоборот, участкам с меньшей ллотностью тока Соответствуют токоподводяш,ие пластинки с меньшим сопротивлением для прохождения тока. Таким образом, наличие прорезей 3, соответствующим образом расположенных на токоподводящей части сопротивления шунта, приводит iK уменьшению тока в его периферийных частях и. увеличению тока в центральных частях, т. е. создает эффект, обратный поверхностному эффекту. Это дает возможность обеспечить равномерное распределение .плотности тока по всему сечению активной части шунта, уменьшить поверхностный эффект в этой части шунта и в конечном счете умень.шить частотную погрешность и увеличить диапазон частотной применимости шунта. Предмет изобретения 1. Резистив)ный элемент, содержащий токоподводы и активную часть в виде двух идеи-, тичных половин бифилярно сложенных пластин из электропроводного материала с прорезями, разделяющими эти пластины на отдельные элементы сопротивления, расположенные .перпв-ндикулярно линии перегиба и подсоединенные к токоподводу параллельно, отличающийся тем, что, с целью снижения реактивных потерь и расширения диапазона частотной применимости, токоподводы выполнены в виде бифилярных пластвн, разделенных прорезями на систему отдельных параллельно включенных .пластинок. 2. Резистивный элемент по п. 1, отличающийся тем, что прорези в токоподводах выполнены так, что расстояние между каждыми двумя соседними прорезями и поперечные сечения отдельных пластинок уменьшаются по мере удаления пластинок от продольной оси симметрии резистора, увеличивая при этом COOTBeTCTBeHHO их сопротивление.

fuZ../