Четырехзажимный низкоомный резистор Советский патент 1981 года по МПК H01C3/02 

(54) ЧЕТЫРЕХЗАЖШНЫЙ НИЗКООМНЫИ РЕЗИСТОР

1

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано при изготовлении четырехзажимных низкоомных резисторов, предназначенных для работы в цепях переменного тока.

Известен четырехзажимный резистор (с номинальным значением сопротивления от 1 Ом и ниже), имеющий токоподводы и потенциальные отводы, активная часть вьтолнена в виде бифилярно сложенной пластины с изоляционной прокладкой. Уменьшение реактивной составляющей полного сопротивления резистора достигнуто за счет снижения влияния поверхностного эффекта путем создания прорезей в его активной части t1.

Недостатком известного резистора является влияние величины ЭДС взаимной индукции между токовой и потенциаль- j ной цепями, а также влияние поверхностного эффекта в токоподводах на величину реактивной составляющей полного сопротивления.

Наиболее близким по технической сущности является бифилярный четырехзажимный НИЗКООМНЫИ резистор, содержащий активную часть в виде двух идентичных половин биф1 лярно сложенной пластины из электропроводного материала с прорезями, разделяющими эту тшастину на отдельные элементы сопротивления, расположенные перпещщкулярно линии перегиба и присоединенные к токоподводу параллельно, в котором уменьшение .реактивной составляющей достигнуто за счет снижения влияния величины ЭДС взаимной индукции между токовой и потенциальной цепями при соответствующем расположении потенциальных отводов, а также за счет влияния поверхностного э Ефекта в токоподводах путем создания в них прорезей 2.

Недостатком такой конструкции резистора является то, что остаточная

.реактивная составляющая, обусловленная геометрией его активной части, остается неизменной, чем сужается 38 верхняя граница частотного диапазона применимости. Кроме того, недостатком ;данного резистора является сложность процесса подгонки: грубая подгонка к номинальному значению осуществляется выбором места припайки потенциальных отводов, точная - спрайбированием поверхности резистора. Цель изобретения - уменьшение реактивной составляющей при одновременном упрощении процесса подгонки. , Поставленная цель достигается тем, 1что етырехзажимный низкоомный резистор, содержащий активную часть, выполненную в виде бифилярной пластины из электропроводного материала и токо подводы, снабжен плоским резистором, расположенным на поверхности .токоподвода и включенным параллельно активно части. На фиг. 1 изображен низкоомный четырехзажимный резистор; на фиг. 2 его эквивалентная схема. Низкоомный четырехзажимный резисто содержит токоподводы 1, активную часть 2, выполненную в виде двух иден тичных половин: бифилярно сложенной пластины из электропроводного материала (например, манганина), потенциаль ные отводы 3. Между пластинами помеще на изолирующая прокладка 4, исключающая возможность -короткого замыкания половин пластины. Основной резистор дополнительно содержит плоский резистор 5, например, печатный резистор, который размещен на поверхности токо- подвода 1. Вход 6 и выход 7 резистора 5 соединены с точками присоединени потенциальных отводов 3, т.е. резистор 5 включен параллельно активной части 2 основного резистора.Уменьшение реактивной составляющей резистора достигается изменением расположения плоского резистора 5 относительно плоского токоподвода 1, что приводит к изменению величины взаимно индуктивности М между токоподводом 1 основного резистора и плоским резисто ром 5, т.е. к уменьшению реактивной составляющей всего резистора в целом. Рассмотрение эквивалентной схемырезистора (фиг. 2) показывает, что можно пренебречь емкостной связью меж ду бифилярными плоскостями активной части основного резистора 2, между плоским резистором 5 и токоподвода- ми I. Размещение плоского резистора 5 на плоскости токоподводов I и включение его параллельно активной части 2 1 ОСНОВНОГО резистора приводит к следующему изменению параметров основного ререзистора:активное сопротивление и собственная индуктивность четырехзажимного низкоомного резистора, снабженного плоским резистором 5; R,,L, активное сопротивление и соВственная индуктивность активной части 2 основного резистора; активное сопротивление и собственная индуктивность плоского резистора 5; взаимная индуктивность между плоским резистором 5 и токоподводами 1; собственная индуктивность токоподводов 1 основного резистора. Уменьшение реактивной составляющей резистора осуществляется следующим образом. На поверхности токоподводов 1 основного резистора накладывается плоский резистор 5. Выводы 6 и 7 резистора 5 соединяются с точками присоединения потенциальных отводов 3. Изменением положения резистора 5 по отношению к плоскости токоподводов 1 добиваются изменения величины взаимной индуктивности. При соответствующем выборе значений L, , 1-2. и М добиваются необходимого значения собственной индуктивности LH всего резистора в целом. Подгонка низкоомных четырехзажимных резисторов переменного тока по омическому сопротивлению и реактивной составляющей полного сопротивления производится следующим образом. В первую очередь производится грубая подгонка омического сопротивления низкоомных четырехзажимных резисторов Ввиду особенностей их конструкции подгонка ведется путем перемещения точки присоединения потенциальных отводов 3 к активной части основного резистора 2. Далее экспериментально определяется реактивная составляющая (постоянная времени) основного резистора без дополнительного включения токовой цепи плоского (печатного) реэистора 5. Затем вход 6 и выход 7 плоского резистора 5, величина сопро тивления которого определяется из соотношения для параллельного соединения двух резисторов при известной величине шунтируемого резистора и необходимой точности воспроизведения общего сопротивления резистора в целом, электрически соединяются с точками присоединения потенциальных отводов 3 к поверхности основного резистора, тем самым производится более точная подгонка омического сопротивления резистора. В качестве плоского резистора 5 могут быть использованы несколько печатных или пленочных резисторов. Далее на поверхность токоподводов основного резистора, т.е. за пределами его активной части 2 накладывается плоский резистор 5 резистивным рисунком вниз к поверхности основного резистора,- что приводит к уменьшению реактивной составляющей полного conpo тивления резистора в целом. В зависимости от величины индуктивности актив ной части основного резистора плоский резистор (или группа их) может быть расположен частично и на поверхности 8 16, активной части, чтобы избежать перекомпенсации. Таким образом, подгонка реактивной . и активной составляющих полного сопротивления резистора осуществляется одним и тем же элементом поэтапно, причем технологичические операции последнего этапа не влияют на результат предыдущего. Формула изобретения Четырехзажимный низкоомный резистор, содержащий активную часть, выполненную .в виде бифилярной пластины из электропроводного материала и токоподводы, отл.ичающийся тем, что, с целью уменьшения реактивной составляющей при одновременном упрощении процесса подгонки, он снабжен плоским резистором, расположенным на поверхности токопровода и включенным . параллельно активной часта. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1.Патент США № 3719914, кл. Н 01 С 3/00. 2.Авторское свидетельство СССР № 266801, кл. Н 01 С 3/02, .прототеш).

IK.