СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ РУТИЛА Советский патент 1970 года по МПК C01G23/47 

Изобретение относится к области получения кристаллов рутила.

Известен способ получения кристаллов рутила из раствора TiO2 в расплаве буры при повышенной температуре, концентрации TiOg, равной 10-15 вес. %, с последующим охлаждением со скоростью й,5°С/час и более.

Целью изобретения является получение кристаллов со -средним диаметром 15-20 мк и отношением длины к диаметру более 30. Это достигается тем, что процесс ведут при концентрации TiO2, равной 10-20 вес. %, температуре 1000-1100°С с последуюш.им охлаждением до температуры 400-500°С со скоростью 5- Q°CfMUH.

Пример. Исходную шихту, содержащую 10-20 вес. % TiO2, остальное - обезвоженная бура (например, 8,3 г TiOz в 32,7 г буры), загружают в платиновый сосуд и нагревают до температуры 1050-1000°С, при которой расплав выдерл ивают 5-6 час. Охлаждение расплава ведут со скоростью 5-IQ C/MUH до температуры 500°С, и далее - на воздухе. Присутствие Б шихте примеси способствует росту кристаллов рутила.

Получают 2,5-3 г нитевидных кристаллов длиной 2-4 мл1 и шириной 20-25 мк; поверхность кристаллов совершенна.

Предмет изобретения

Способ получения кристаллов рутила из раствора Ti02 в расплаве буры, отличающийся тем, что, с целью получения кристаллов со средним диаметром 15-20 мк и отношением длины к диаметру более 30, процесс ведут при концентрации TiO2, равной 10-20 вес. %, температуре 1000-1100°С с последующим о.хлал дением до температуры 400-500°С со скоростью 5-10°С/.иын.