ПАТЕНТНО- ^«''XHFqPCf:AJI ^^ЗнБЛЙОТЕКА Советский патент 1970 года по МПК G01N27/22 

Изобретение относится к области влагометрии, а именно, к емкостным датчикам, измеряющим влажность жидких и порошкообразных сред.

Известные емкостные датчики, содержапиге диэлектрическое основание, разделенное плоскоиараллельными электродами на емкостные полости, имеют различную чувствительность во всех точках рабочего сечеиия и на их показания оказывает влияние краевой эффект.

С целью получения постояииой чувствительности и исключеиия влияния краевого эффекта в предлагаемом датчике илоскопараллельные электроды одинаковой толщины заделаны в диэлектрическом осиованни на длине более 0,6 от расстояния между электродами, а рабочее сечение основания выиолнено в виде квадрата.

На чертеже показан описываемый датчик.

Рабочее сечение / датчика выполнено в виде квадрата или прямоугольника в диэлектрическом основании 2 и разделено илоскопараллельными электродами 3 и 4 на ряд одинаковых емкостных полостей 5, образующих суммарную рабочую электрическую емкость датчика. Электроды 3 и 4 объединены электрическими проводниками и 7 в две грунпы. Для исключения влияния в рабочем сечении поперечного краевого эффекта, вызывающего неравномерность электрического поля на краях

электродов, электроды заделаны в диэлектрическом основании 2 на длине более 0,6 от расстояния между электродами. Работает датчик следующ1 м образом.

К электрическим проводникам 6 и 7 подводится иапряжепие питания датчика. Между электродами 3 и 4 образуется суммарная рабочая электрическая емкость. При прохождении испытываемой среды через емкостные

полости 5 суммарная емкость между группами электродов изменяется в зависимости от диэлектрической проницаемости испытываемой среды. Изменение емкости регистрирует вторичная аипаратура (на чертеже не показаиа).

Предмет изобретения

Емкостный датчик, содержащий диэлектрическое основание, разделенное плоскопараллельиыми электродами на емкостные нолости, отличающийся тем, что, с целью нолучен 1я постоянной чувствительности во всех точках рабочего сечения и исключеиия влияния краевого эффекта, в нем плоскопараллельные электроды одннаковой толщины заделаны в диэлектрическом основании на длине более 0,6 от расстояння электродами, а рабочее сеченне основания выполиено в внде квад-. рата.

,х