Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к технологии изготовления пленочных схем.
Известны способы изготовления пленочных микросхем, основанные на формировании проводников при помощи фоторезиста, изготовленного на базе модифицированного каучука с последующим селективным покрытием их, например, медью и золотом.
Фоторезист на основе модифицированного каучука химически стоек к электролиту, используемому в гальванических ваннах меднения и золочения. Однако при термическом задубливании подобный фоторезист окисляет металлизированную, например покрытую медью, поверхность и вследствие этого адгезия фоторезиста к меди ухудшается, что увеличивает процент брака.
По предлагаемому способу для улучшения адгезии фоторезиста к металлизированной подложке ее покрывают слоем железа, на который наносят фоторезист.
На фиг. 1-5 изображена последовательность технологических операций по изготовлению пленочной схемы по предлагаемому способу.
На подложку J, например сита.лловую, напыляют сплошной слой 2 хрома и сплошной слой, например, меди 3 толщиной 0,5-1,0 мк. Затем производят гальваническое наращивание слоя
4 железа на слой меди в одном из известных электролитов и фотопечать на фоторезисте 5, изготовленном на основе модифицированного каучука (см. фиг. 2). Фоторезист термически задубливают, после чего производят декапирование, например, в растворе персульфата аммония (для железа и меди) (см. фиг. 3). Затем проводники микросхемы покрывают слоем 6 гальванической меди, например, в пирофосфатном электролите обычного состава п наносят слой 7 золота толщиной 1-2 мк, например, в железистосинеродистом электролите (см. фиг. 4). Удалив фоторезист, например, в растворе, содержащем 1 ч. толуола, 2 ч. трихлорэтилена и 2 ч. метиленхлорида, стравливают слой 4 железа и слой 3 проводника, например, в растворе персульфата аммония i слой 2 хрома, например, в растворе серной кислоты (1:1), и получают готовую мпкросхему (см. фиг. 5).
Предмет изобретения
Способ изготовления пленочных схем, основанный на формировании проводников схемы
ка диэлектрической подложке при помощи фоторезиста, изготовленного из модифицированного каучука, и покрытии проводников слоем меди и золота, отличающийся тем, что, с целью улучшения адгезии фоторезиста к металлизи
Риг 3
