Изобретение относится к области металлургии проводников и касается установок эпитаксиального наращивания полупроводниковых пленок, в частности устройства для измерения температуры вертикального пьедестала.
Известные аналогичные устройства содержат нагреватель, герметичную камеру с пьедесталом для подложек, установленным на шток, и радиационный пирометр.
Иедостатком известных устройств является неточность определения температуры боковой рабочей поверхности пьедестала по температуре торца из-за несоответствия этой температуры рабочей температуре и ввиду осаждения на визируемой поверхности паро-газовой смеси.
Целью изобретения является повышение точности измерения температуры боковой поверхности пьедестала.
Для этого в штоке выполнен сквозной канал, продолжением которого служит глухое отверстие в торце пьедестала глубиной более /5 размера поперечного сечения пьедестала.
Изобретение иллюстрируется чертежом.
метр 6. В торце пьедестала выполнено глухое отверстие глубиной /з размера поперечного сечения пьедестала.
Сквозной канал в штоке и глухое отверстие в торце пьедестала представляют собой изолированную от паро-газовой смеси полость, на дно которой визируется пирометр. Таким образом, визируемая поверхность не покрывается налетом. Углубление отверстия в торце более чем на /з размера поперечного сечения максимально приближает температуру визируемой поверхности к рабочей температуре боковой поверхности.
Благодаря такому выполнению данное устройство обеспечивает более высокую точность
измерения рабочей температуры пьедестала.
Предмет изобретении
Устройство для измерения температуры вертикального пьедестала в установках эпитаксиального наращивания, содержащее нагреватель, герметичную камеру с пьедесталом для подложек, установленным на шток, н радиационный пиро.метр, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерения, в штоке выполнен сквозной канал, продолжением которого глухое отверстие в торце пьедестала глубиной более /з размера поперечного сечения пьедестала.
| название | год | авторы | номер документа |
|---|---|---|---|
| ТИГЕЛЬ ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО СЛИТКА КАРБИДА КРЕМНИЯ С НИТРИДОМ АЛЮМИНИЯ И ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ИХ ОСНОВЕ | 2010 |
|
RU2425914C1 |
| CVD-РЕАКТОР СИНТЕЗА ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК КАРБИДА КРЕМНИЯ НА КРЕМНИЕВЫХ ПОДЛОЖКАХ | 2021 |
|
RU2767098C2 |
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОКРЫТИЯ из КАРБИДАКРЕМНИЯ | 1970 |
|
SU268969A1 |
| УСТРОЙСТВО НАГРЕВА ПОДЛОЖКИ ДЛЯ УСТАНОВКИ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЫ | 2010 |
|
RU2468468C2 |
| Установка для получения эпитаксиальных слоев | 1970 |
|
SU401272A1 |
| СПОСОБ РАЗМЕЩЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПОДЛОЖЕК НА ПЬЕДЕСТАЛЕ | 1982 |
|
SU1105075A1 |
| КАНТИЛЕВЕР С КРЕМНЕВОЙ ИГЛОЙ КОМПЛЕКСНОЙ ФОРМЫ | 2020 |
|
RU2759415C1 |
| ТЕНЗОРЕЗИСТОРНЫЙ ДАТЧИК АБСОЛЮТНОГО ДАВЛЕНИЯ НА ОСНОВЕ КНИ МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ | 2015 |
|
RU2609223C1 |
| МОЩНЫЙ ТРАНЗИСТОР СВЧ С МНОГОСЛОЙНОЙ ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ СТРУКТУРОЙ | 2012 |
|
RU2519054C1 |
| УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОСАЖДЕНИЯ СЛОЕВ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ | 1991 |
|
RU2010043C1 |
