СПОСОБ ИНДИВИДУАЛЬНОЙ ТАРИРОВКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ТЕНЗОРЕЗИСТОРОВ Советский патент 1971 года по МПК G01B7/16 G12B13/00 

Известен способ индивидуальной тарировки полупроводниковых тензорезисторов, заключающийся в том, что тензорезистор наклеивают на алюминиевую балку, нагружают, измеряют его параметры и отделяют от балки.

Предложенный способ повышает точность измерений. Это достигается тем, что тензорезистор наклеивают на предварительно омедненную гальванопластическим способом алюминиевую тарировочную балку. Затем тензорезистор вместе с медной фольгой отделяют от тарировочной балки и используют вместе со вспомогательной основой из медной фольги.

На балке из алюминиевого сплава, например, Д16Т, места, не подлежащие металлопокрытию, защищаются эмульсией или полихлорвиниловой лентой. Пробельные места представляют собой прямоугольники, расположенные но главной оси балки. После анодирования в серной кислоте на пробельные места осаждают слой меди толщиной до 0,1 мм из стандартного кислого электролита. Затем на

омедненные участки наносят клеевую грунтовку и приклеивают тензорезистор, после чего при заданной деформации балки измеряют характеристики тензорезистора. Закончив тарировку, сбрасывают .медную фольгу, несущую тензорезистор.

Предмет изобретения

Способ индивидуальной тарировки полупроводниковых тензорезисторов, заключающийся в том, что тензорезистор наклеивают на алюминиевую балку, нагружают, измеряют его параметры и отделяют от балки, отличающийся

тем, что, с целью повышения точности измерений, тензорезистор наклеивают на предварительно омедненную гальванопластическим способом алюминиевую тарировочную балку, после тарировки тензорезистор отделяют вместе с медной фольгой от тарировочной балки и используют вместе со вспомогательной основой из медной фольги.