ПАРАМЕТРИЧЕСКИЙ МОДУЛЯТОР Советский патент 1971 года по МПК H03C1/14 

Изобретение относится к области радиопередающих устройств и может быть использовано в системах автоматической иодстройки контуров радиоиередатчиков ультракоротковолнового диапазона, генераторах с частотной манипуляцией, устройствах анализа сигналов.

Известны модуляторы сверхвысокочастотного диапазона, в которых в качестве управляющего элемента используются p-i-я-диоды.

Недостатком этих модуляторов является изменение глубины модуляции собственной частоты контура при его перестройке в широком диапазоне частот.

Цель изобретения - создание параметрического модулятора, обеспечивающего получение постоянной глубины модуляции собственной частоты контура при перестройке его в широком диапазоне частот. Поставленная цель достигается тем, что коаксиальная линия модулятора выполнена в виде двух последовательно соединенных секций, из которых одна, соединенная с элементом связи, нагружена на управляющий p-f-rt-диод, а другая представляет собой разомкнутую на конце линию.

На чертеже показано устройство параметрического модулятора.

ненные секции 3 и 4. Вход первой секции 3 соединен пластиной конденсатора 5 связи с модулируемым контуром, а выход ее нагружен на управляющий элемент - р-г-гг-диоды 6, которые через блокировочные конденсаторы 7 соединены с клеммами подачи управляющего напряжения 8. Вторая секция 4 представляет собой разомкнутую на конце линию.

Модулятор работает следующим образом.

Модулятор посредством пластины конденсатора 5 связи подключается к модулируемому контуру. Собственная частота контура зависит от величины входного сопротивления коаксиальной линии модулятора в плоскости пластины конденсатора 5. Изменение величины этого сопротивления, осуществляемое посредством управления активной проводимостью p-i-nдиодов, приводит к модуляции собственной частоты контура.

Известно, что проводимость р-г-п-диодов в зависимости от знака управляющего напряжения изменяется от мо (режим запирания) до 1 МО и более (режим проводимости). Поэтому при протекании через диоды управляющего тока первая секция линии, нагруженная диодами, окажется короткозамкнутой. Входное сопротивление модулятора в этом случае определится параметрами только первой секции 3.

нне имеет индуктивный характер и по абсолютной величине много меньше емкостного сопротивлеяня конденсатора связи с модулируемым контуром.

Таким образом, в период проводимости р-1-пдиодов в модулируемый контур вносится емкостное сопротивление, но величине примерно равное емкостному сопротивленню конденсатора связи.

При подаче запирающего напряжения p-i-nдиоды в УКВ-диапазоне представляют собой незначительную неоднородность с емкостной реакцией, практически не влияющую на условия распространения энергии в линии.

Входное сопротивление коаксиальной линии модулятора определяется в этом режиме двумя последовательно включенными секциями 3 и 4. Если секция 4 выполнена, например, в виде отрезка разомкнутой линии, электрическая длина которой меньше четверти длины рабочей волны, входное сопротивление ее имеет емкостной .характер. Вносимое в модулируемый контур соиротивле П1е будет также носить емкостной характер, а величина его будет больше величины емкостного сопротивления конденсатора связи.

Величина разности между значениями сопротивле}1ий, вносимых в модулируемый контур в двух режимах работы р- -п-диодов, определяет глубипу модуляции собственной частоты контура.

Соответствующим выбором электрической длины секций 3 и 4 можно установить весьма разнообразные законы изменения величины приращения вносимого сопротивления и, тем

самым, глубины модуляции контура в рабочем диапазоне частот. Соотношение длин секций 3 и 4 оиределяет увеличение или уменьшение глубины модуляции с увеличением частоты.

Так как в модуляторе используются p-i-tiдиоды, имеющие два устойчивых состояния проводимости, возможно осуществить лишь скачкообразное изменение собственной частоты контура.

Предмет изобретения

Параметрический модулятор, содерл ащий коаксиальный отрезок линии, конденсатор связи с модулируемым контуром и управляющий элемент, нанример, /5-/-«-диод. отличающийся тем, что, с целью обеспечения постоянства глубины модуляции собственной частоты контура при его перестройке в широком дианазопе частот, коаксиальная линия модулятора выполнена в виде носледовательно соединенных секций, причем первая секция, соединенная с элементом связи, нагружена на управляющий / -i-rt-диод, а вторая нредставляет собой разомкнутую на конце линию.

/1