Известны способы изготовления тонкопленочных конденсаторов, имеющих структуру металл-диэлектрик-металл.
Однако при этих способах используются по крайней мере два материала: материал электродов и материал диэлектрического слоя, а также образуется резкая граница между неоднородными материалами электродов и диэлектрика. Это приводит к перерасходу материала и уменьшению -пробивного напряжения.
Цель изобретения - экономия материала, увеличение пробивного напряжения и получение однородной границы металл-диэлектрик. Это достигается тем, что диэлектрическую пленку конденсатора и его электроды получают путем последовательного испарения нитридов переходных металлов при температурах испарения, °С:
4icD 1300-1350 /„СП 1750-2000
Изобретение поясняется чертежом, на котором приведен общий вид и разрез узла тонкопленочных емкостных элементов, где: 1 - нижний электрод-нитрид алюминия с металлической проводимостью, 2-диэлектрик-нитрид алюминия с высоким удельным сопротивлением, 3-верхний электрод-нитрид алюминия с металлической проводимостью. Рабочая площадь составляет 4 мм.
Исходным материалом для напыления служил порошок (400 меш.) нитрида алюминия (содержание азота 33,4-33,6%) квалификации «СПЧ.
Напыление проводилось при остаточном давлении 5-10 мм рт. ст. на подложки из стекла марки C-4I-1. В качестве испарителя использовалась танталовая лодочка.
Технологические режимы изготовления слоев выбирались на основе зависимости удельного сопротивления пленок нитрида алюминия от температуры испарения.
Напыление электродов (пленка нитрида алюминия с металлической проводимостью) проводилось при 1750°С (яркостная), со скоростью осаждения 100А (мин, толщина электродов 3000-5000 А).
Напыление диэлектрической пленки нитрида алюминия проводилось при 1300°С (яркостная), со скоростью осаждения 0,5-1 А
(мин, толщина пленки 1000 А.)
Предмет изобретения
личающийся тем, что, с целью экономии материала, увеличения пробивного напряжения и получения однородной границы металлдиэлектрик, диэлектрическую пленку конденсатора и его электроды получают путем последовательного испарения нитридов переходных металлов при температурах испарения, °С:
11сп 1300-1350
„сп 1750-2000.
| название | год | авторы | номер документа |
|---|---|---|---|
| Способ изготовления тонкопленочного конденсатора электронной техники | 2022 |
|
RU2799811C1 |
| Способ получения термостабильного бескислородного тонкопленочного диэлектрика | 1990 |
|
SU1742862A1 |
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПЛЕНКИ ДЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ | 2010 |
|
RU2419176C1 |
| ДАТЧИК ВЛАЖНОСТИ ГАЗОВ | 2023 |
|
RU2826793C1 |
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКИХ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК КРЕМНИЯ ДЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ | 2006 |
|
RU2333567C2 |
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИОДА ШОТТКИ | 2011 |
|
RU2488912C2 |
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНКИ НИТРИДА АЛЮМИНИЯ | 1996 |
|
RU2113537C1 |
| УСТРОЙСТВО ПАМЯТИ НА ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ СТРУКТУРЕ КРЕМНИЯ НА СТЕКЛЕ | 2006 |
|
RU2402107C2 |
| ЦВЕТНАЯ ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНТНАЯ ИНДИКАТОРНАЯ ПАНЕЛЬ (ВАРИАНТЫ) | 1994 |
|
RU2131174C1 |
| Способ изготовления тонкопленочных конденсаторов | 1979 |
|
SU960981A1 |
CtXl LirtJ n±D
,p Ф cnz
П±1 C±D
cp egI,-(
