Способ изготовления тонкопленочных конденсаторов Советский патент 1975 года по МПК H01G13/00 

Известны способы изготовления тонкопленочных конденсаторов, имеющих структуру металл-диэлектрик-металл.

Однако при этих способах используются по крайней мере два материала: материал электродов и материал диэлектрического слоя, а также образуется резкая граница между неоднородными материалами электродов и диэлектрика. Это приводит к перерасходу материала и уменьшению -пробивного напряжения.

Цель изобретения - экономия материала, увеличение пробивного напряжения и получение однородной границы металл-диэлектрик. Это достигается тем, что диэлектрическую пленку конденсатора и его электроды получают путем последовательного испарения нитридов переходных металлов при температурах испарения, °С:

4icD 1300-1350 /„СП 1750-2000

Изобретение поясняется чертежом, на котором приведен общий вид и разрез узла тонкопленочных емкостных элементов, где: 1 - нижний электрод-нитрид алюминия с металлической проводимостью, 2-диэлектрик-нитрид алюминия с высоким удельным сопротивлением, 3-верхний электрод-нитрид алюминия с металлической проводимостью. Рабочая площадь составляет 4 мм.

Исходным материалом для напыления служил порошок (400 меш.) нитрида алюминия (содержание азота 33,4-33,6%) квалификации «СПЧ.

Напыление проводилось при остаточном давлении 5-10 мм рт. ст. на подложки из стекла марки C-4I-1. В качестве испарителя использовалась танталовая лодочка.

Технологические режимы изготовления слоев выбирались на основе зависимости удельного сопротивления пленок нитрида алюминия от температуры испарения.

Напыление электродов (пленка нитрида алюминия с металлической проводимостью) проводилось при 1750°С (яркостная), со скоростью осаждения 100А (мин, толщина электродов 3000-5000 А).

Напыление диэлектрической пленки нитрида алюминия проводилось при 1300°С (яркостная), со скоростью осаждения 0,5-1 А

(мин, толщина пленки 1000 А.)

Предмет изобретения

личающийся тем, что, с целью экономии материала, увеличения пробивного напряжения и получения однородной границы металлдиэлектрик, диэлектрическую пленку конденсатора и его электроды получают путем последовательного испарения нитридов переходных металлов при температурах испарения, °С:

11сп 1300-1350

„сп 1750-2000.

CtXl LirtJ n±D

,p Ф cnz

П±1 C±D

cp egI,-(