Изобретение относится к технологии производства afieMeHTOB радиоаппаратуры я может быть использовано в микроэлектронике, литографии и оптотехнике.
Известны способы получения рельефных изображений на слоях металлов, сплавов, полупроводников и диэлектриков нанесением этих слоев на подложки с последующим образованием на ни: систеьяы полупроводник-металл, используемой в качестве фоторезЕСта, печатанием изображения и химическим травлением.
Однако известные способы не позволяют получить четкое рельефное изображение по всей толщине системы, состоятдей из основеого слоя, на котором получают р льеф, и слоев сваточувстаи1ельной системы, образукждих фот зрезист, так каж состав травителя и фоторезиста не известен.
С пелыо получения четкого рельефного изображения по предлагаемому способу травления фотореввсуа и основного слоя осуществляют oaHiaM травлением, в качестве -правителя используют лишориое железо, т егировавно медью. TOJX, с целью улучшения защитных свойств фоторезиста в качестве фоторезиста используют систему сульфид-мышьяка-серебро, толщиной соответственно 15О- 35О А и 6ОО-1ООО А.
На фиг. 1-5 показана послепозатэльность получения рельефных изображений, где: 1подложка, 2 - основной слой, на котором получают рельефное изображение, 3- слой серебра, 4 - слой сульфид мышьяка, 5 - слой в месте засвечивания, состоящий из продукт-ов фотохимической реакпии.
Спой 2,3 и 4 получают напылением F. вакуумной установке, причем напыление желательно производить без нарушения вакуума, так как при эгом улучшается сцепление па границе слоев 2 и 3. Основной слой 2, например нккель, лучше напылять на подложку, нагретую до температуры 10О 2ОО°С, так как это улучшает адгезию слоя 2 с подложкой. После остывания подложки 1 наносят слой серебра 3 и слой сульфидмышьяка 4. Толщины этих слоев подбирают таким образом, что в месте засвечивания образца все серебро и сульфид мышьяка вступает в фотохимическую оеакцию между собой.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЕТОПОГЛОЩАЮЩЕЙ МАТРИЦЫ | 1991 |
|
RU2047927C1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НЕГАТИВНЫХ ФОТОРЕЗИСТОВ | 1968 |
|
SU212752A1 |
Способ изготовления радиационночувствительного материала | 1970 |
|
SU459902A3 |
Способ получения рисунка фотошаблона | 1985 |
|
SU1308111A1 |
Способ получения рельефного изображения на металле или окисле металла | 1983 |
|
SU1107099A1 |
СВЕТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ МАТЕРИАЛ | 1990 |
|
RU2021624C1 |
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ КОНТАКТА ДЛЯ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРЫ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ НА ОСНОВЕ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ | 2010 |
|
RU2428766C1 |
РЕЛЬЕФНЫЕ МИКРОСТРУКТУРЫ ПОВЕРХНОСТИ С ОПТИЧЕСКИМИ ЭФФЕКТАМИ И СПОСОБ ИХ ПОЛУЧЕНИЯ | 2007 |
|
RU2428724C2 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СОЛНЕЧНОГО ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ | 2010 |
|
RU2437186C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ | 2005 |
|
RU2292610C1 |
Авторы
Даты
1976-08-05—Публикация
1970-07-13—Подача