СПОСОБ ОЧИСТКИ ПОВЕРХНОСТИ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК Советский патент 1971 года по МПК B05D3/00 

Изобретение относится к области вычислительной техники и криогенной электроники и, в частности, может быть использовано нри изготовлении пленочных криотронных устройств.

Основной недостаток известного способа в том, что для обеспечения надежного сверхнроводящего контакта необходима большая площадь соприкосновения пленок, это увеличивает размеры схемы.

Цель изобретения - гарантирование надежного сверхпроводящего контакта на малой площади. Для этого окислы и загрязнения снимают бомбардировкой пленки ионами инертного газа в тлеющем разряде.

Предлагаемый снособ очистки поверхности металлических пленок ноясняется чертежом.

Подложку 1 с нодвергщейся фотолитографированию нижней металлической пленкой и изоляцией помещают в вакуумную камеру 2. Подложку прикрепляют к охлаждаемому держателю 3. В испаритель 4 загружают исходный материал для следующей пленки. Перед напылением .последней удаляют загрязнения и окислы с предыдущей пленки, бомбардируя ее ионами инертного газа в тлеющем разряде. Для этого вакуумная камера оснащена электродами, которые выполнены из плохо распыляемых материалов, иначе пленка будет загрязняться материалом электродов.

Анод 5 представляет собой диск с отверстием, которое не должно ограничивать диаграмму направленности испарителя. Катодом служит держатель 3 подложки.

Держатель сделан так, что существует надежный электрический контакт между ним и очищаемой пленкой. Для того, чтобы заряды не сканливались на подложке и эффективно щла очистка, пленка обязана быть катодом,

ноэтому полученный на подложке рисунок не должен содержать участков, не связанных с катодом. Если но схеме такие участки необходимы, то предусматривают временные связи их с выводными контактами. При фотолитографировании следующего слоя эти связи вытравливают. Перед очисткой ва-куумную камеру 2 обезгаживают и откачивают диффузионным насосом с азотной ловущкой до максимального вакуума (10 мм рт. ст.). Затем

нромывают инертным газом и снова откачивают до предельного вакуума. Тщательная нредварительная очистка вакуумной установки необходима для того, чтобы избавиться от водорода, азота, углерода и, особенно, кислорода, иначе вместо очистки на поверхности пленки будет происходить образование гидридов, нитридов, карбидов и окислов металлов. После обезгаживания, промывки и откачки в камеру подают инертный газ. При давлеПленки в тлеющем разряде обрабатывают с интервалами, так как низкотемпературные пленки свинца и олова нагреваются в разряде и интенсивно иснаряются, иногда нолностью. В результате плохой тенлонроводности стеклянной нодложки / охлаждение держателя 3 жидкнм азотом не предотвращает испарения. Кроме того, в перерывах происходит стекание зарядов с изоляционных пленок, накопленных за время бомбардировки.

Режим бомбардировки пленки ионами инертного газа подбирают так, что за время обработки происходит снятие верхнего слоя

пленки на толщину несколько десятков ангстрем. Таким..рбразом, удаляют окислы и загрязнения и на очищенную поверхность напыляют следующий слой.

Предмет изобретения

Способ очистки поверхности металлических пленок посредством бомбардировки ионамп инертного газа, отличающийся тем, что, с целью обеспечения надежного сверхпроводящего коптакта на малой площади, бомбардировку производят в постоянном тлеющем разряде.

Напуса s&aa

Откачка