СХЕМА СОВПАДЕНИЙ НАНОСЕКУНДНОГО ДИАПАЗОНА Советский патент 1971 года по МПК H03K19/21 

Известна схема совпадений наносекундного диапазона с регулируемым разрешением по длительности импульсов, выполненная на транзисторе и туннельных диодах, содержащая входные и выходные цепи, цепь обратной связи и элемент сложения.

Целью иозбретения является увеличение пределов разрешения и повышения быстродействия. Это достигается тем, что элемент сложения устройства образован транзистором и двумя встречно-включенпыми туннельными диодами. При этом цепочка туннельных диодов подключена между базой и эмиттером транзистора.

На чертеже приведена принципиальная схема предлагаемого устройства, где 1 - туннельный диод с током в максимуме /р и током в минимуме /min ; 2 - туннельный диод с током в максимуме /р. и током в минимуме /rnin, ; 3 - транзистор типа п-р-п; 4 - переменное сопротивление Ri; 5 - сопротивление Rz, ограничивающее ток через транзистор 3; 6 - сопротивление 7 - сопротивление 4; 8 - индуктивность и 9 - емкость.

Схема работает от импульсов отрицательной полярности любой длительности, но стандартной амплитуды.

транзистор 3. Через цепочку туннельных диодов 1 и 2 протекает ток JCM смещения, который удерживает туннельный диод / во включенном состоянии и смещает туннельный диод 2 в обратном направлении. Чтобы такое состояние схемы являлось ее единственным устойчивым состоянием, должны выполняться соотношения:

/см - .

minj

(i + T) +

Если на любой из входов схемы в момент

времени /о поступит отрицательный импульс

тока с амплитудой Ai такой, что Ai + гсм

/min , то туннельный диод /, выключится,

а следовательно, закроется и транзистор 3. Ток в цепи обратной связи 4, 5, 6, 8, 1 н 2

начнет увеличиваться по закону i(t) - (1 -

f

Rt - е ), смещая туннельный диод 2 в обратном направлении и препятствуя его срабатыванию от входных импульсов. В момент времени h, этот ток достигнет такой величины /ь что гсм + tl -i- /г-AJ будет больше /р . Следовательно, если за промежуток времени t - fo

не превысит величины tcM + /Р, , то туннельный диод 2 так и не сработает. Таким образом, tp - t-i - 0 является разрешающим временем предлагаемой схемы и оиределяется выражением

;. -А,„(,..

полагая, что t(i) At, где tp-можно изменять, изменяя любое из сопротивлений 4-6 в интервале, определяемом выражением

см и-;; Р

PiВ действительности, разрешающее время схемы несколько больше из-за переходных процессов транзистора 3. Поэтому для получения очень малых разрешающих времен можно исключить из схемы реактивные элементы, используя задерл :ку действия обратной связи за счет переходных процессов в транзисторе 3. Мертвое время схемы 2 - .

Аналогично работает схема, в которой имеется емкость 9, включенная как указано пунктиром на чертеже.

Предмет изобретения

Схема совпадений наносекундного диапазона с регулируемым разрешением по длительности импульсов, выполненная на транзисторе и туннельных диадах, содержащая входные и выходные цепи, цепь обратной связи и элемент сложения, отличающаяся тем, что, с целью увеличения пределов разрешения и повышения быстродействия, элемент сложения образован упомянутым транзистором и двумя встречно-включенными туннельными диодами, причем цепочка туннельных диодов подключена между базой и эмиттером транзистора.

-Y

Выход саВпадеяий и

2