НЕПРОВОЛОЧНЫЙ РЕЗИСТОР Советский патент 1971 года по МПК H01C7/04 

Описание патента на изобретение SU311295A1

Изобретение может быть использовано в уст-рюйствах электронной техники, имеющих различное назначение.

Известен постоянный неороволочный резистор с проводящим слоем из резистивного материала, нанесенным на диэлектрическое основание.

Для улучшения электрических характеристики повышения надежности на-диэлектрическое основание предлатаемого резистора наносится подслой из проводящего материала с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления (ТКС).

На фиг. 1 показан предлагаемый резистор цилиндрической коиструкции; на фиг. 2 - то же, другой Вариант.

У предлагаемого резистора основание 1, на которое наносится тонкий слой 2 углерода, металлического сплава, окислов или какого-либо другого резиСтивного вещества, выполнено из проводящего электрический ток материала, обладающего большим отрицательным ТКС.

Подобно о.бычным тонкослойным постоянным резисторам с цилиндрическим основанием электрический контакт с резистивным слоем устанавливается при помощи металлических колпачков 3, напрессованных на основание, поверх слоя 2. Для удобства слабое место на резистиБпом слое представлено локальным уто.ньшением его, образованным царапиной в виде кольцевой канавки 4.

Величина электропроводности всего основания /, заключенного между контактными колпачками 3, подобрана таким образом, что при нахождении резистора под номинальной электрической нагрузкой, ею можно пренебречь по сравнению с величиной проводимости самого резиСтивного СЛОЯ 2, заключенного между теми же контактными колпачками.

Участок основания, непосредственно прилегающий к дефектному месту реЗИстивногослоя, при некоторых условиях .может обладать большой величиной электропроводности. Сильный

раЗогрев дефектного места резистивного слоя вследствие повышенного его электрического сопротивления по сравнению с остальным слоем автоматически уменьшает сопротивление указанного участка основания на значительную

величину, благодаря большому его отрИЦательно.му ТКС.

При соответствующим образом подобранной величине отрицательного ТКС материала основания можно получить такое электрическое

шунтирование дефекта рези1стивного слоя, которое приостановит его дальнейшее разрушение. Путь электрического тока, протекающего по образовавшемуся шунту, показан стрелкой на фИГ. 1,

электрического шунтирования слабых мест резистивного слоя уменьшающимся электрическим сопротивлением соответствующих мест самото основания, несущего этот слой, полностью сохраняется также в случае, когда благодаря нарезке сниральной изолирующей кана;вки резистнвный слой приобретает вид СТ1Иральной ленты, расположенной на боковой поверхностн цилиндрического Основаиия /.

Благодаря теплопроводнюсти основания его нагрев, вызываемый перегревом дефектного места 4 резистивного слоя 2, локализуется в области, простирающейся на небольшую глубину основания 1. Это увеличивает электропроводность основания только в тонком слое, непосредственно примыкающем к дефектному месту резистивного слоя.

образол, большая часть объема основания 1 практически не участвует в механизме автоматического электрического шунтирования дефектных участков резистивного слоя. В связи с этим .предлагается второй вариант устройства резистора (см. фиг. 2).

Согласно второму варианту основание, на которое наносится резистивный слой, изготавливается из двух материалов. Наружщый слой 5, непосредственно соприкасающийся с резистивным pai6o4HM слоем 2, выполняется из проводящего электрический ток материала, отличительной особенностью которого является наличие у него отрицательного ТКС. Для остальной (внутренней) части основания используется какой-либо обычный изоляционный материал (керамика, стекло и др.).

Для предлагаемого резистора могут быть Использованы любые известные конструкции непроволочных резисторов как с цилиндрической, так и с плоской гео.метрической формой основания.

Предмет и з о б р е т е н и я

Постоянный непроволочный резистор с проводящим слоем из резистивного материала,

нанесенным на диэлектрическое осиование, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрических характер кстиК и пОВыщения надежности, на диэлектрическое осно.вапие нанесен подслой из прОБОДящего материала с отрицательным ТКС.

Похожие патенты SU311295A1

название год авторы номер документа
Способ изготовления тонкопленочного резистора 2018
  • Новожилов Валерий Николаевич
RU2700592C1
МАТЕРИАЛ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ И СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ РЕЗИСТИВНОЙ ПЛЕНКИ НА ЕГО БАЗЕ 2006
  • Уткин Валерий Николаевич
  • Кортунова Людмила Яковлевна
  • Семенова Алевтина Юрьевна
RU2323497C1
Высокоомный непроволочный резистор (его варианты) 1981
  • Ильюшенко Владимир Николаевич
SU1045279A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО ДАТЧИКА МЕХАНИЧЕСКИХ ВЕЛИЧИН 2014
  • Васильев Валерий Анатольевич
  • Хошев Александр Вячеславович
RU2547291C1
РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ И МИШЕНЬ ИЗ РЕЗИСТИВНОГО МАТЕРИАЛА 2006
  • Уткин Валерий Николаевич
  • Кортунова Людмила Яковлевна
  • Семенова Алевтина Юрьевна
RU2323496C1
ТОНКОПЛЕНОЧНЫЙ ИЗМЕРИТЕЛЬНЫЙ РЕЗИСТОР 2005
  • Власов Геннадий Сергеевич
RU2306624C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ ДАТЧИКА МЕХАНИЧЕСКИХ ВЕЛИЧИН 2013
  • Васильев Валерий Анатольевич
  • Тимаков Сергей Владимирович
  • Хошев Александр Вячеславович
RU2544864C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ НАНО- И МИКРОРАЗМЕРНОЙ СИСТЕМЫ ДАТЧИКА ФИЗИЧЕСКИХ ВЕЛИЧИН С ЗАДАННЫМ ПОЛОЖИТЕЛЬНЫМ ТЕМПЕРАТУРНЫМ КОЭФФИЦИЕНТОМ СОПРОТИВЛЕНИЯ РЕЗИСТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ 2014
  • Васильев Валерий Анатольевич
  • Хошев Александр Вячеславович
RU2554083C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТЕРМОУСТОЙЧИВОЙ НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ ДАТЧИКА МЕХАНИЧЕСКИХ ВЕЛИЧИН 2014
  • Васильев Валерий Анатольевич
  • Хошев Александр Вячеславович
  • Чебурахин Игорь Николаевич
RU2548380C1
МАТЕРИАЛ МЕТАЛЛОПЛЕНОЧНОГО РЕЗИСТИВНОГО СЛОЯ И СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ РЕЗИСТИВНОГО СЛОЯ НА ЕГО ОСНОВЕ 2001
  • Литвинцев Владимир Владимирович
  • Егоров Сергей Николаевич
  • Каткевич Валентин Николаевич
RU2280905C2

Иллюстрации к изобретению SU 311 295 A1

Реферат патента 1971 года НЕПРОВОЛОЧНЫЙ РЕЗИСТОР

Формула изобретения SU 311 295 A1

SU 311 295 A1

Даты

1971-01-01Публикация