СТРУКТУРА С РАСПРЕДЕЛЕННЫМИ ПАРАМЕТРАМИ Советский патент 1971 года по МПК H01G5/00 

Изобретение относится к радиоте.хнике и может быть использовано в RC-генераторах, фильтрах низкой частоты и избирательных фильтрах в микроэлектронном исполнении.

Известная RC-структура с распределенными параметрами, состоящая из диэлектрической подложки и нанесенных на нее в одной плоскости резистивной и проводящей пленок, не позволяет получить крутизну спада амплитудно-частотной характеристики более 7 дб на октаву.

В предлагаемом устройстве для улучшения амплитудно-частотной характеристики резистивную и проводящую пленки выполняют с переменной шириной.

На чертеже представлена конструкция предлагаемой RC-структуры с распределенными параметрами.

RC-структура состоит из двух полосок с изменяющейся вдоль структуры шириной, где полоска / - резистивная пленка, а полоска

2 - проводящая пленка. Обе пленки нанесены на диэлектрическую подложку 5 с высокой диэлектрической проницаемостью. Избирательность предлагаемой RC-структуры зависит от отношения шпрнны резистнвной и проводящей пленок на входе структуры к шнрипе этих пленок на выходе структуры, а также от функции изменення ширины вдоль длины структуры.

И р е д м е т изобретения

RC-структура с распределепными пара.метрами, состоящая из диэлектрической подложки и нанесенных на нее в одной нлоскосп: резистивной и проводящей пленок, отличающаяся тем, что, с целью улучшения амплитудно-частотной характеристики, резистивную и нроводящую пленки выполняют с неременной шириной.