С-структура с распределенными параметрами Советский патент 1974 года по МПК H01G1/00 H01C7/00 

I

Изобретение может использоваться в радиотехнических цепях, в частности в RC-генераторах, в устройствах частотной селекции в микроэлектронном исполнении.

Известные RC-структуры с распределенными параметрами представляют собой слоистую структуру, состоящую из чередующихся резистивной, диэлектрической и проводящей пленок, нанесенных на диэлектрическое основание.

Однако такие JRC-структуры не позволяют производить перестройку по частоте без нарущения целостности структуры. В частности, изменение частоты настройки RC-структуры производится уменьшением величины распределенной емкости удалением части проводящей пленки, что может приводить к закорачиванию проводящей и резистивной пленок.

Цель изобретения - создание RC-структуры, позволяющей производить перестройку частоты без ухудшения надежностных характеристик RC-структуры.

Эта цель достигается выполнением RCструктуры Б виде компланарной системы, состоящей из -известной слоистой структуры, проводящий слой которой выполнен так, что его боковые участки располол- ены непосредственно на диэлектрическом основании. Между резистивной пленкой слоистой структуры и проводящей пленкой, лежащей в той же илосКОСТИ, получается распределенная емкость, величина которой зависит от геометрических размеров резистивной и проводящей пленок, а также от толщины диэлектрической пленки.

Иа фиг. 1 изображена конструкция предлагаемой RC-структруы; на фиг. 2 - электрическая схема ее.

Предлагаемая RC-структура состоит из двух компланарных систем, получающихся за счет чередования резистивного слоя 1, диэлектрического слоя 2 и проводящего слоя 3. Для обеспечения возможности перестройки частоты структуры проводящий слой выполнен так, чтс его боковые участки расположены непосредственно на диэлектрическом основании 4.

Величина перестройки по частоте зависит от геометрических размеров резистивной и проводящей пленок, а также от толщины диэлектрической пленки. Удалением части проводящей пленки, лежащей непосредственно на диэлектрическом основании, любым из известных способов, без нарушения целостности слоистой структуры, можно перестраивать частоту настройки RC-структуры.

Предмет изобретения

/ RC-структура с распределенными параметрами, состоящая из диэл ектрического основа30 ния и последовательно располол енных на нем

резйстйвногб, диэлектрического и проводящего слоев, отличающаяся тем, что, с целью обеспечения возможности перестройки частоты структуры, проводящий слой выполнен тай, что его боковые участки расположены непбсредственно на диэлектрическом основании.

Вход

Риг.г