СПОСОБ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ СПЛАВА СЕЛЕНА Советский патент 1971 года по МПК C25D3/56 

Изобретение относится к области гальванопокрытий, в частности к осаждению сплава селена.

Известен способ осаждения сплава селена из электролита, содержащего селенистую кислоту.

Предложен способ электрохимического осаждения сплава селена, по которому для получения равномерного покрытия сплавом селен-висмут в электролит вводят азотнокислый висмут, азотную кислоту и лро-цесс ведут при комнатной температуре и плотности тока 1-20 ма/см.

Электролит содержит, г/л:

Селенистая кислота0,5-15

Азотнокислый висмут1-53

Азотная кислота188-189

Для электроосаждения сплава используют электролизер с двумя полихлорвиниловыми диафрагмами, отделяющими «атодное пространство от двух анодных с платиновыми анодами и катодом из платины или медной пластинки, гальванически покрытой висмутом. Состав и компактность катодного осадка зависит от соотнощения концентраций селенистой кислотыи азотнокислого висмута в электролите и от плотности тока.

Пример. Компактные блестящие осйдкИ сплава селен-висмут толщиной до 5 мк, имеющие в своем составе 38-39 вес. % селена, получают из электролита, содержащего, г/л:

Селенистая кислота3,2

Азотнокислый висмут12,1

Азотная кислота189

при комнатной температуре и плотности тока 20 MaJcM.

По предложенному способу получают сплав селен - висмут, имеющий полупроводниковые свойства..

Предмет изобретения

1.Способ электрохимического осаждения сплава селена из электролита, содержащего селенистую кислоту, отличающийся тем, чго, с целью получения равномерного покрытия сплавом селен-висмут, в электролит вводят азотнокислый висмут, азотную кислоту и процесс ведут при комнатной температуре, плотности тока I-20 ма/см.

2.Способ ,по п. 1, отличающийся тем, что электролит содержи г, г/л: