СПОСОБ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ СПЛАВАСЕЛЕНА Советский патент 1970 года по МПК C25D3/56 

Изобретение относится к области гальванопокрытий, в частности осаждения сплава селена.

Известен способ осаждения сплава селена из электролита, содержащего селенистую кислоту.

По предложенному способу электрохимического осал дения сплава селена для получения равномерного покрытия сплавом селентеллур в электролит вводят теллуристую кислоту ири следующем соотношении компонентов, г/л:

1,0-10,0

Селенистая кислота Теллуристая кислота 2,0-14,0

Процесс ведут при комнатной температуре и плотности тока 5-30 ма/см. Для подкисления раствора вводят серную кислоту до .

Для электроосаждения снлава используют электролизер с двумя полихлорвиниловыми диафрагмами, отделяющими катодное пространство от двух аиодцых. Аноды - платина, катод-медная пластинка, гальванически покрытая платиной или серебром. Состав и комнактность катодного осадка зависит от соотношения коицентраций селенистой и теллуристой кислот в электролите, от материала катода и плотности тока. Например, компактные слои сплава селеи-теллур на платиновой основе толщиной до 20 мк получают из электролита с соотношением HjSeOs : Н-лТеОз от 4 : 1 до 1 :20, применяя плотности тока до 30 /MOi/c.u-. На серебряной основе в тех же условиях компактные покрытия сплавом селен-теллур получают только до 1 Я1К.

Предмет изобретения

Способ электрохимического осаждения сплава селена из электролита на основе селенистой кислоты, отличающийся тем, что, с целью получения равномерного нокрытня снлавом селен-теллур, в электролит вводят теллуристую кислоту при следующем соотношении компонентов, г/л:

Селенистая кислота1,0-10,0

Теллуристая кислота2,0-14,0

и процесс ведут прп комнатной температуре н плотности тока 5-30 ма/см.