СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПРОВОДЯЩИХ ЭЛЕМЕНТОВ МИКРОСХЕМ Советский патент 1971 года по МПК H05K3/00 

Изобретение относится к технологии производства радиодеталей и может быть использовано при изготовлении проводящих элементов микросхем, преимущественно пленочпых индуктивностей.

Известен способ получения проводящих элементов микросхем на диэлектрической подложке гальваиическим наращиванием слоя меди, осаждаемого из комплексного пли простого электролита.

Иедостаток известпого способа состоит в том, что проводящий элемент имеет большое активное сопротивление, снижающее добротность катущек индуктивности.

С целью повыщения добротности пленочных катущек индуктивности по предлагаемому способу гальваническое наращивание осуществляют импульсным током.

Для гальванического наращивания слоя проводящего металла, например меди, используют простой сернокислый электролит, электролиз которого осуществляется имг ульспым током низкой частоты при длительпости импульса в 10 и более раз короче следующей за ним паузы и амплитуде импульса в 10 н более раз больщей, чем средпее за период значение плотности тока, которое равно значению нлотпостп постоянного тока и составляет величипу до 2 а/дм. Процесс нроисходит при повыщенной ноляризации, во время паузы перераспределяются пассивные л активные участки роста, что предотвращает преимущественный рост отдельных кристаллов в щищки и дендриты и способствует получению равномерного осадка. Этому же способствует обратный нмпульс небольщой величины, который растворяет дефектные участки п увеличивает сглаживание осадка.

Для снижения волновых потерь новерхность катущкн после наращивания подвергается полировке, например, химическим методом, в процессе которой чпстота поверхности витков катушки доводится до 9-10 класса.

Вышеописанным способом изготовляется, например, катушка индуктивности с номиналом 0,06-0,5 мкгн па площадп 8-8 мм с щирипой витка 300-350 мк.и и межвитковым расстоянием 50-100 .пкм. Наращивание токопровода производится медью из сернокислого электрол1гга состава CuSOj-51420 - 200- -250 г/л, I-IsSO-i - 50-70 гл при температуре 20-25С па толщш у 25-45 мк.ч имиульсным током промыщленной частоты следующих нараметров; средняя плотность тока за период 1 -1,5 а/дм-, амплптудная плотность нрямого импульса 18-20 а/дм-, длительность прямого импульса 1,5-2 мсек, количество электричества обратного импульса - 1/10-1/8 от прямого. Двукратная хнмнческая нолировка производится в растворах .хлорного железа и под3кйсленного персульфата аммония. Добротность нолученных катушек на частотах 60-170 лггг{ составляет величину Q 120-160. Ппедмет изобретения предме и ооре1ения Снособ получения проводящих элементов микросхем, преимущественно пленочных ин4дуктивностей, на диэлектрической подложке гальваническим иараи иванием, отличающийся тем, что, с целью повышения добротности пленочных катушек индуктивности, гальваническое наращивание осуществляют импульсным током,