Способ изготовления токопроводящего рисунка интегральной микросхемы Советский патент 1980 года по МПК H05K3/00 

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении гибридных интегральных микросхем СВЧ-диапазона для получения высококачественного токопроводящего рисунка. Известен способ изготовления токопроводящего рисунка интегральной микросхемы, заключаюишйся в том, чт на подложку методом трафаретной печ ти наносят пасту, содержащую мелкодисперсные порошки стекла и благородных металлов, дисперсированные в органическом связующем материале, после чего подложку подвергают высо котемпературному обжигу 1. Также известен способ изготовления токопроводящего рисунка интег- ральной микросхемы, заключающийся в том, что очищенную в горячей хром вой кислоте подложку с постоянной скоростью погружают и вынимают из раствора металлоорганического соеди нения. После удаления растворителя металлоорганическое соединение разлагается при , при этом осаждается соответствующий металл, кото .рый затем вжигается в подложку при 530-7бОс. Необходимый рисунок проводящих элементов микросхемы создают методом фотолитографии 2. Известные способы не позволяют получить токопроводящий рисунок микросхемы с достаточной электропроводимостью и адгезией к подложке. Целью изобретения является повышение электропроводимости и адгезионной прочности токопроводящего рисунка микросхемы. Для достижения поставленной цели на очищенную подложку наносят раствор жидкого золота, а после его вжигания подложку с золотым покрытием подвергают поочередно катодно-анодной обработке, затем на золотое покрытие гальваническим способом наращивают медь. Технология способа состоит в следующем . Предварительно очищенную и глазурированную подлЬжку помещают в центрифугу и при скорости 2400-300(Г об/мин наносят пипеткой раотвор жидкого .золота. Вращение поддерживают в течение 1 мин для удаления растворителей. Образовавшуюся пленку вжигают при . Затем пластину (подложку с золотым покрытием) в качестве катода подвешивают между анодами из нержавеющей стали находящимися в электролите и подвергают катодно-анодной обработке при плотности тока 2 А/дм в течение 2-3 мин. После промывки в проточной воде проводят предварител ное меднение в электролите при 45ЗО С и катодной плотности тока 2 А/дм в течение 5 мин. Далее посл промывки пластину помещают в другой электролит и проводят окончательное меднение. При комнатной температ /ре и катодной плотности тока 4 А/дм скорость наращивания меди составляе 25 мкм/час. В случае необходимости на медное .покрытие может быть налож но защитное покрытие. Необходимый токопроводящий рисунок получают мет дом фотолитографии. Технические характеристики токопроводящего рисунка микросхемы следующи е: толщина пленки 2000-3000 А золота ее адгезия к 200-300 кг/см подложке адгезия пленки меди к зо100 кг/см лоту удельное сопротивление токопроводящего0,003 Ом/кВ рисунка . Годовой экономический эффект при объеме выпуска 100 тыс. микросхем составляет 208,7 тыс.руб. Формула изобретения Способ изготовления токопроводящего рисунка интегральной микросхемы, включающий нанесение на очищенную подложку проводящего материала, его выжигание и формирование токопроводящего рисунка методом фотолитографии, отличающийся тем, что, с целью повышения электропроводимости и адгезионной прочности, в качестве проводящего материала наносят раствор жидкого золота, а после его вжигания подложку с золотым покрытием подвергают поочередно катодно-анодной обработке, после чего на золотое покрытие гальваническим способом наращивают медь. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1.Микросхемы интегральные гибридные €ВЧ-диапазона. Платы микрополосковые. Типовые технологические процессы. ОСТ 4ГО.054.068 ред. 1-73. 2.Электрохимическая технология Врайт Е.Е. и др. т. 2, 262, 1964.