СПОСОБ ЗАПИСИ И СЧИТЫВАНИЯ ИНФОРМАЦИИ В ЗАПОМИНАЮЩЕМ УСТРОЙСТВЕ Советский патент 1971 года по МПК G11C11/10 

Известен способ записи и считывания информации в запоминающем устройстве (ЗУ) на слоистых ферритовых матрицах по системе 2,5 Д, при котором по разрядному и числовому проводникам подают токи, создающие поле, не превышающее порогового поля для магнитопровода вокруг этих проводников.

Цель изобретения - увеличение амплитуды считанного сигнала и повышение быстродействия.

Цель достигается тем, что предварительно по числовому проводнику подают ток фиксации состояния матриц, совпадающий по направлению с током считывания, с амплитудой, обеспечивающей поле, превосходящее пороговое поле диагонального магнитопровода, а по разрядному проводнику при записи и по числовому проводнику при считывани подают токи, создающие поле, равное пороговому полю диагонального магнитопровода.

На фиг. 1 показаны состояния элемента памяти слоистой матрицы, характеризующие его работу в режиме считывания, записи и разрушения «1 и на фиг. 2 приведена диаграмма работы ЗУ в режиме считывания и записи «1 и «О.

Любое изменение направления и величины магнитного потока в рабочей зоне элемента памяти слоистой ферритовой матрицы (СФМ) происходит но путям, проходящим через площадки /, 2, 3, 4. Крестом и точкой на фнг. 1 обозначены начало и конец вектора остаточной индукции любой площадки или ее отдельных частей. При обращении к элементу памяти СФМ по числовому проводнику 5 подают числовые токи считывания /i и записи /2, а по разрядному проводнику 6 - разрядный ток считывания /з, а также ток записи /4 в случае записи «1, который отсутствует при записи «О.

Перед сборкой ЗУ по числовым проводникам 5 подают ток фиксации состояния матриц /Ф, совпадающий по направлению с током А и создающий поле, превосходящее пороговое поле диагонального магнптопровода, который проходит через площадки / и 3.

По окончании действия тока /ф силовые линии охватывают только числовой проводник 5 и проходят через площадки /-2 и 3-4.

Запись «1 осуществляют одновременным воздействием на элемент памяти двух токов /3 и I. Поля, создаваемые этими токами в площадках / и 3, складываются. Так как система симметрична, то в случае равенства амплитуд

этих токов, поля, создаваемые в площадках 2 и 4, взаимно компенсируются (фиг. 16). Таким образом, в результате действия токов /з и / образуется информационный диагональный по ток, который охватывает проводники 5 и б и

т. е/появление в площадках 1 и 3 зоны противоположной памагниченности относительно начальной установки (треугольниками на площадках 1 и 3 условно обозначены части этих площадок, по которым проходит диагональный поток).

После действия токов /i и /2 состояние намагниченности илощадок } и 3 соответствует исходному и характеризует пулевое состояние элемента (фиг. 1в).

В данной системе выборки информация может быть разрушена в направлении считывания или записи вдоль проводников 5 w. 6. На фиг. 1г, д, е, ж показано разрушение единичного и нулевого состояний диагонального магнитопровода под действием, токов разрушения /5 и /6, полярность которых соответственно совпадает с полярностью токов считывания /ь /2 и токов записи /з, /4Действие токов разрушения по другим направлениям приводит к подтверждению состояния информационного диагонального магнитопровода.

Если по числовому проводнику 5 в направлении тока /1 действует ток разрушения /5, то поле, создаваемое им, подтверждает намагниченность илощадок 2, 4 } стремится разрушить единичное состояние диагонального магнитопровода площадок 1, 3 (фиг. 1 г). При этом разрушение единичного состояния начинается с того момента, когда поле, создаваемое током /5, становится равным пороговому полю диагонального магнитонровода.

Таким образом, амплитуда числового тока считываиия 1. может превышать амплитуду порогового тока для числового проводника 5 во столько раз, во сколько пороговый ток диагонального магнитоировода превышает этот пороговый ток. Для практически используемых СФМ эта особенность приводит к увеличению допустимой амплитуды числового тока считывания /1 в 1,3-1,4 раза.

Разрушение по разрядному проводнику 6 в направлении тока /2 начинается с того момента, когда амплитуда тока /s становится равной пороговому току этого проводника (фиг. 1 д). По мере роста тока разрушения /5 диагональный поток, характеризуюший единичное состояние элемента памяти, уменьшается за счет увеличения магнитиого потока вокруг проводника 6. Следовательно амплитуда числового тока считывапия 1 в зависимости от геометрических размеров элемента памяти СФМ может быть в 1,3-1,4 раза больше амплитуды разрядного тока считывания /2 (фиг. 2а).

При рассмотрении процессов разрушения нулевого состояния диагоиальиого магнитопровода током /е (фиг. 1 е, ж) в направлении тока записи по проводникам 5 и 6 оказывается, что амплитуда разрядного тока записи /4 может быть равна амплитуде порогового тока диагонального магнитопровода, а амплитуда числового тока заииси /з не должна превышать величины порогового тока для числового проводника 5, т. е. допустимый ток /4 может быть в 1,3-1,4 раза больше, чем допустимый ток /3 (фиг. 2 б). При записи «О разрядный ток записи /4 по проводнику 6 не пропускают.

При одновременном действии двух токов, например, тока /3 по проводнику 5 и тока 1,4/з по проводиику 6 (фиг. 26), кроме информационного диагоиальиого потока, который возникает в площадках /-3, в площадках /-4 и 2-3 за счет несимметрии токов также возникает поле, которое, однако, не влияет на состояние их намагниченности, так как не превышает порогового поля для проводника 6 в рабочей зоне элемента памяти.

Предмет изобретения

Способ записи и считывания информации в запоминающем устройстве на слоистых ферритовых матрицах с выборкой по системе 2,5 Д, отличающийся тем, что, с целью увеличения амплитуды считанного сигнала и повышения быстродействия, предварительно по числовому проводнику подают ток фиксации состояния матриц, совпадающий по направлению с током считывания, с амплитудой, обеспечивающей поле, превосходящее пороговое поле диагонального магнитопровода, а по разрядному проводнику при записи и по числовому проводиику при считывании подают токи, создающие поле, равное пороговому полю диагонального магнитопровода.

Ч 5

Запи.

I I,

I / 6Л

Устанобка

2 Считывание

/

6 5

I,

Разрушение j° в

Разрушение„0 ж

СчитыбаниеЗапись., I | Запись,,

I