СПОСОБ ПОДГОНКИ ТОНКОПЛЕНОЧНОГО РЕЗИСТИВНОГОДЕЛИТЕЛЯ Советский патент 1971 года по МПК H01C17/26 

Изобретение относится .к технологии производства радиоаппаратуры и может быть ислользовано лри изготовлении прецизионных тоНКопленочных резистивных делителей.

Известен -способ подгонки тонкопленочного рездастивного делителя, состоящего из гальванически связанных резисторов, посредством анодирования в жидком электролите.

Однако по известному способу трудно локализо1вать площадь, занимаемую электролитом таким образом, чтобы электролит покрывал лищь тот резистор делителя, который подвергается подгонке.

Цель изобретения - обеспечение возможности подгонки Каждого отдельного резистора тонкопленочного резистивного делителя из вентильного материала.

Для этого ПО предлагаемому способу после анодирования всего делителя в жидком электролите при определенном потенциале осуществляют подгоику отдельного резистора путем подачи «а делитель потенциала, превышение которого над первоначальным потенциалом анодирования приходится только «а резистор.

На фиг. 1 представлена диаграмма распределения электрического потенциала на подгоняемом резистивНом делителе; «а фиг. 2 - диаграмма распределения потенциала по длине резистивного слоя лри подключении корректирующих резисторов. На обеих диаграммах приняты следующие обозначения: Vi - потенциал, при котором производят анодирование всего делителя; Vi, - последующий потенциал анодирования; I - длина резистивного слоя.

Тонкопленочный резистивный делитель, состоящий из гальванически связанных, например, двух резисторов, погружают в жидкий электролит, подают определенный потенциал и производят его полное анодирование по всей площади на глубину, соответствующую приложенному потенциалу. Затем «делителю

прикладывают такой потенциал, чтобы превышение его «ад первоначальным потенциалом анодирования приходилось только на резистор, подгонку которого необходимо осуществить. В этом случае рост окисной пленки и соответственно уменьшение толщины резистивной пленки будут происходить только на участке, расположенном с одной стороны от точки О, а именно с той стороны, где потенциал превышает. первоначальный потенциал

анодирования. С другой стороны от точки О роста окисной пленки наблюдаться не будет. Для обеспечения необходимых значений потенциалов и наклона диаграммы распределения потенциала по длине резистивного слоя

полнительные

корректирующие резисторы (см. фиг. 2).

Предмет изобретения

Способ ПОДГОНКИ тонкопленочного резистивного делителя, состоящего из гальванически связанных резисторов, посредством аиодироБания в жидком электролите, отличающийся

тем, что, с целью обеспечения возможности подгонки каждого отдельного резистора, лосле анодирования всего делителя при определенном потенциале осуществляют подгошку отдельного резистора путем подачи на дел-итель такого потенциала, превышение которого над первоначальным -потенциалом анодирования приходится только на резистор.

RK

Фиг. 2