Способ подгонки тонкопленочных делителей напряжения Советский патент 1982 года по МПК H01C17/75 

Изобретение относится к технологии создания тонкопленочных-резисторов и может быть использовано в производстве интегральных резисторных микросхем делителей напряжений и тока.

Известен способ селективной подгонки сопротивления гальванически связанных резисторов посредством анодного окисления с жидким электролитом, при котором электролит подается только на те участки резистивной структуры, которые необходимо окислить . Это дает возможность осуществлять функциональную подгонку реэисторных делителей напряжения, то есть непосредственно коэффициента деления смонтированных приборов 1}.

Недостатком данного способа является ограниченная разрешающая способность и необходимость защиты неанодируемых участков.

Наиболее близким по технической сущности является способ селективной подгонки сопротивления гальванически связанных резисторов, при котором проводят общее анодирование всех резисторов при определенном потенциале анодирования, а затем путем подачи нового потенциала, превышение которого над первоначальным приходится только на отдельный резистор, осуществляют его подгонку 2.

Недостатком известного способа является то, что, во-первых, перед селективной подгонкой необходимо провести общее анодТ1рование, что во многих случаях нежелательно. Во-вторых, новый потенциал анодирования данного резистора должен иметь строго опреде10ленное значение, получаемое расчетным путем, чтобы не было превышения над первоначальным потенциалом анодирования других резисторов.

Это ограничивает варьирование

15 степени селективной подгонки резисторов в широких пределах.

Цель изобретения - повышение точности подгонки.

20

Пбставленная цель достигается тем, что в известном способе подгонки тонкопленочных делителей напряжения, включающем анодное окисление каждого из гальванически связанных

25 резисторов, анодное окисление осуществляют подачей отрицательного по.тенцигша на общий проводник, к которому подключены выводы резисторов, а положительный потенциал подают после30довательно на свободные выводы каждого из гальванически связанных резисторов . На чертеже показан делитель напряжения , подгоняемый предлагаемшл способом. Делитель состоит из резисторов l-l-l-n(R, R,, .... RO), подключенных одним выводом к общему проводнику 2, на который подан отрицательный потенциал напряжения источника 3 питания.- В пределах области 4, являющейся зоной анодирования, осуществля ется контакт электролита с поверхностью резисторов. Для селективной подгонки резистора l-1-l-n замыкают один из ключей 5-1 - З-п, связывающий свободный вывод каждого из резис торов с положительным полюсом источника питания. Потенциометром б ограничивается ток подгонки. .Сущность предлагаемого способа подгонки состоит в том, что при указанном включении анодированию подвергается лишь тот резистор делителя, на свободном выводе которого име ется положительный потенциал. Все остальные резисторы через общий проводник подключены к отрицательному потенциалу и, следовательно, анодированию не подвержены. Степень .селективной подгонки, можно варьировать в широких пределах путем изменения разности потенциалов на свободном и связанном (общем проводнике) выводах каждого из резисторов. Предлагаемый способ подгонки от.личается от известных тем, что анодное окисление осуществляют без общего катода, его роль выполняет непосредственно общий приводник Пб дгоняемого делителя напряжения. В этом слу чае анодное окисление протекает не в поперечном, а в продольном электрическом поле и не сопровождается предварительным общим анодированием делителя. Использование предлагаемого способа открывает широкие возможности для функциональной подгонки интегральных резисторных микросхем делителей напряжения и тока. По сравнению с существующими способами подгонки анодированием он обладает более высокой разрешающей способностью, удобством использования и возможностью автоматизации. Формула изобретения Способ подгонки тонкопленочных делителей напряжения, включаквдий анодное окисление каждого из гальванически связанных резисторов, отличающийся тем, что,с целью повышения точности подгонки, анодное окисление осуществляют подачей отрицательного потенциала на общий проводник, к которому подключены выводы резисторов, а положительный потенциал подают последовательно на свободные выводы каждого из гальванически связанных резисторов. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1.Авторское свидетельство СССР № 511634, кл. Н 01 С 17/00, 1972(аналог) . 2.Авторское свидетельство СССР № 319962, кл. Н 01 С 17/26, 15.03.69 (прототип).