СПОСОБ ИЗУЧЕНИЯ КИНЕТИКИ ФАЗОВОГО ПЕРЕХОДА В КОНДЕНСИРОВАННЫХ СРЕДАХ Советский патент 1971 года по МПК G01N25/12 

Изобретение относится к методам исследования фазовых переходов в конденсированных средах и может быть использовано при изучении динамики зарождения и роста новых фаз, индуцированных внешними полями.

Известны способы изучения кинетики фазовых переходов в конденсированных средах, согласно которым изучаемый кристалл термостатируют вблизи точки перехода (точки Кюри), затем накладывают или снимают внешнее поле и ведут наблюдение за динамикой развития фазового перехода при помощи оптических, калориметрических, рентгенографических и других методов.

Недостатком таких способов является то, что наблюдению за кинетикой развития фазового перехода внутри кристалла мешают цеитры роста новой фазы на поверхности. Это объясняется тем, что внешпее поле смещает точку Кюри на поверхности и внутри кристалла одновременно на одну и ту величину, а фазовый переход всегда начинается с поверхностных областей кристалла.

По предлагаемому способу для устранения влияния поверхиостных неоднородностей перед моментом наложения (снятия) внешнего поля, смещающего точку Кюри (Гь-) в кристалле, импульсно нагревают (если ) или охлаждают (если ) поверхность

изучаемого кристалла. Таким образом, на поверхности кристалла создаются условия, неблагоприятные для осуществления фазового перехода, а во внутренних областях фазовый

переход имеет место. При фазовый

переход идет при начальной температуре в

термостате выше точки Кюри, а при Т-.Тк -

ниже точки Кюри.

Еслп выбрать кристалл, для которого

(т. е. действие внешнего поля таково, что оно как бы увеличивает температуру фазового перехода), и застабилизировать его температуру TO, близкой к Гк так, что То.Тк, то при импульспом охлаждении поверхности

кристалла ее температура понизится на АГ. Последующая подача внешнего поля смещает точку Кюри во всем кристалле на величину .

Можно подобрать АГ и А7, так, что во всем объеме кристалла будет выполняться условие Гк-АГк :Го, а в поверхностном слое кристалла - условие Гк-АГк Го-АГ. При этом внутренние области кристалла переходят в метастабильное состояние, а поверхпостный слой остается в стабильном состоянпп. Во внутренних областях кристалла заролчдаются п развиваются зародыши новой фазы, тогда как в поверхностном стабильном

будет. Аналогично можно подобрать параметры для кристалла, у которого .

Время задержки подачи (снятия) внешнего ноля на кристалл относительно момента импульсного изменения температуры поверхности кристалла выбирают в соответствии со временем, необходимым для изменения температуры поверхности на глубину, достаточную для «отсечки всех поверхностных дефектов, которые могли бы инициировать фазовый переход.

Предмет изобретения

Способ изучения кинетики фазового перехода в конденсированных средах под воздействием внешних полей путем оценки количества возникающих зародышей новой фазы, отличающийся тем, что, с целью устранения влияния поверхностных неоднородностей, поверхность исследуемой среды перед изменением внешнего поля импульсно охлаждают или нагревают.