ГАЛЬВАНИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ Советский патент 1972 года по МПК H01M6/22 H01M6/06 

Описание патента на изобретение SU325649A1

Известен гальванический элемент, содержащий отрицательный электрод из смеси циикового иорошка, раствора щелочи и загустителя, отделенный от положительного электрода диафрагмой из раствора ид,елочи и загустителя. Для загущения электролита в порах цинкового электрода берут крахмал или муку из расчета 150-170 г на 1000 с.н электролита, содержащегося в порах. В диафрагме же содержится 450-600 г крахмала и муки на 1000 c.w электролита. Вследствие меньщего количества загустителя в цинковом электроде начинается процесс диффузии влаги в диафрагму, что ведет к ее разжижению, замыкаиню отдельных элементов и утечке электролита. Процесс разжижения диафрагмы происходит также вследствие иоглон, влаги из воздуха высокогигроскопичными щелочными растворами. Применение же растворов мень1пей гигроскопичности ириводпт к высыханию электролита и в результате этого к окислению цинка.

Пелыо изобретения является увеличение срока службы и предотвращение утечки электролита. Это достигается тем, что соотнощение концентрации загустителя в электролите

отрицательного электрода и диафрагмы выбирают равным 0,7-1.

Таким образом, для уме1ИзН1ен ш перехода влагн в диафрагму следует для загущения электролита в иорах цинкового электрода брать 450-600 г крахмала или муки или того и другого вместе.

Однако нзготовить цинковый электрод из массы такого состава методом намазки, принятым в настоящее время в производстве, певозможно, так как эта масса не намазывается. Поэтому изготавливают электрод из более плотной массы приведенного выще состава заирессовкой массы в кассеты с последуюпи1М срезанием ее избыточного количества.

П р е д м е т и з о б р е v с i и я

Гальваннчсский элемент, содержащий отрицательный электрод из смеси цинкового порои1ка, раствора щелочи и загустителя, отделенный от положительного электрода диафрагмой из раствора щелочи п загустптеля, отлччающч11ся тем, что, с целью увеличепия срока службы и предотврапхения утечки элек тролита, соотиощение концентрацни загустителя в электролите отрицательного электрода и диафрагмы равно 0,7-1.

Похожие патенты SU325649A1

название год авторы номер документа
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГАЛЬВАНИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ 1970
  • Ф. Набиуллин, М. Бузова, Е. М. Герцик, Б. В. Марфин, В. А. Рабинович И. И. Коваль
SU270032A1
Гальваническая батарея галетного типа воздушной деполяризации 1957
  • Кочергинский М.Д.
  • Пенькова Л.Ф.
  • Сакина М.В.
SU117837A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГАЛЬВАНИЧЕСКОГО ЭЛЕМЕНТА МАРГАНЦЕВО'ЦИНКОВОЙ СИСТЕМЫ 1973
  • Л. Ф. Пенькова, Л. Л. Белышев, С. А. Гантман, Е. Г. Апирина, Р. Г. Адам В. А. Науменко, В. В. Тризно В. И. Горохов
SU405146A1
ЩЕЛОЧНОЙ ЦИНКМАРГАНЦЕВЫЙ ГАЛЬВАНИЧЕСКИЙЭЛЕМЕНТ 1971
  • С. Л. Калачев, М. Д. Кочергинский, Л. Ф. Пенькова, В. А. Науменко К. Н. Гильманов
SU317134A1
ПЕРЕЗАРЯЖАЕМЫЙ ГАЛЕТНЫЙ ЩЕЛОЧНОЙ ГАЛЬВАНИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ 1966
  • М. Д. Кочергинский, Л. Ф. Ненькова, С. Л. Калачев С. Идрренк
SU184948A1
ГАЛЬВАНИЧЕСКАЯ БАТАРЕЯ ГАЛЕТНОГО ТИПА 1969
  • М. Д. Кочергинский, Л. Ф. Пенькова, М. Ф. Набиуллин Ш. К. Шаги
  • Всесоюзный Научно Исследовательский Институт Источников Тока
SU236582A1
ГАЛЬВАНИЧЕСКАЯ БАТАРЕЯ 1970
  • М. Д. Кочергинский, С. Л. Калачев, Ф. Пенькова А. Науменко
SU276193A1
Способ сборки химического источника тока марганцево-цинковой системы 1975
  • Набиуллин Фаат Хатович
  • Бузова Зоя Михайловна
  • Герцик Ефим Михайлович
  • Маслов Владимир Михайлович
  • Рабинович Вячеслав Анатольевич
  • Бочкова Ирина Анатольевна
SU543046A1
КОМБИНИРОВАННЫЙ КИСЛОТНО-ЩЕЛОЧНО-СОЛЕВОЙ МЕМБРАННЫЙ АККУМУЛЯТОР 1997
RU2131633C1
НИКЕЛЬ-ЦИНКОВЫЙ АККУМУЛЯТОР 2002
  • Шабашов В.В.
  • Андреев А.А.
  • Комаров Н.В.
  • Буиклиский В.Д.
RU2232449C2

Реферат патента 1972 года ГАЛЬВАНИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ

Формула изобретения SU 325 649 A1

SU 325 649 A1

Даты

1972-01-01Публикация