ВСЕСОЮЗНАЯ IПАТЕ!1ТНО-ТГХ1Ш^;Е'КДВ| Советский патент 1972 года по МПК G03G5/08 

Изобретение относится к технологии изготовления фоточувствительных материалов, предназначенных для последующего изготовления фоторезисторов путем нанесения на готовые пленки электродов.

Известен двухстадийный способ получения фоточувствительных материалов нанесением на подогретую до 300°С подложку сульфида и селенида кадмия с последующей термообработкой при температуре около в атмосфере инертного газа или в среде, не содерн ащей кислород.

Цель изобретения - получеиие фоточувствительных материалов, . светочувствительный слой которых обладает хорощими механическими свойствами и плотной структурой.

Эта цель достигается тем, что на подложку, нагретую до температуры 375-420°С, наносят слой из сульфида и селенида кадмия или их смеси с последующим охлаждением полученного материала до 50-15°С со скоростью 3°С в 1 мин на свету.

Иример 1. Из 1 М раствора CdCb, предварительно очищенного хроматографическим методом, и 1 М раствора тиомочевины готовят водиый раствор концентрацией , добавляют активаторы в виде раствора CuCla с расчетом 3-10-3 г Си 1 2 cdS.

воздуха под давлением 2 атм со скоростью 500 л воздуха в 1 час на предварительно нагретую до 400°С стеклянную подложку (температура подложки во время пульверизаци 400±5°С) в атмосфере воздуха в течение 50-60 мин и охлаждают со скоростью 2°/мин до температуры 20°С.

Пример 2. Приготовляют водиый раствор из реакционных компонентов и активаторов следующего состава, М:

CdClj 2-10-2 CS(NH2)2 1,6-10-2 CSe(NH2)2 0,4-10-2 HCl 0,3-10-2 0,8-10Полученный раствор в количестве 500 мл пульверизуют со скоростью 6-7 мл/мин при

помощи сжатого воздуха (500 л в 1 час) на предварительно нагретую до 380°С стеклянную подложку (температура подложки во время пульверизации 380±5°С) в атмосфере воздуха и охлаждают со скоростью 2°/мин до температуры 20°С.

Используя специальный пульверизатор и поддерживая однородную температуру на всей площади подложки, получают фоточувствительные пленки с площадью более 20 см.

Предмет изобретения

Способ получения фоточувствительного материала нанесением на нагретую подложку слоя сульфида и селенида кадмия, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологического цикла и улучшения фотоэлектрических свойств иленок, слои наносят в атмосфере воздуха на нагретую до температуры 375- 420°С подложку с последующим охлаждением материала до температуры со скоростью не более 3°С в 1 мин на свету.