СПОСОБ СБОРКИ ИНТЕГРАЛЬНОГО МИКРОУЗЛА Советский патент 1972 года по МПК H05K13/04 

Изобретение относится к области радиоэлектр01НИКИ, а именно к технологии производства ИНтегралъных полупроводниковых ми кроcxeiM.

Известный опособ сборки интегрального миюроузла при монтаже ми/кртехам в Д1РKopinyce п,рвдаюла1гает следующую последовательность рабочих операций. Полупроводниковую пластину со схемой (иэготовленной, например, планарным способом) методо-м «обращенного кристалла устаиаклнюают на коММ утаЦИОнную плату с линиями, в-нешним И и Внутренни1ми контактами В .виде площадок, припаивают все выводы, затем на плату накладывают .металлическую рам1ку с внешннми вывода Ми, которые |НрИ1наив.ают к внешним коятактным площадка;м комМутащюнной платы. Далее схему герметизируют в корпус, например, онрессовывают пластмассой, после чего рамку обрезают.

,м недостатко|М такого способа является больщой прюцент бр.ака в процессе сборки из-за многочисленных мехаимческил и температурных (Воздействий на схему, привоаящи х к сдвигу или обрыву контактов, изменению параметров ыикроузла. Кроме того, мала надежность контакта, что проявляется нри опр есоовке схемы пластмассой или заливке ее компаундом, а производительность способа

ни131ка из-за трудности полной автоматизавдш процесса.

Цель изобретения- повышение выхода годных иаделий, а также повышение тфоизводительности оборки.

Цель достигается тем, что с выводами выполняют с догюлнительным металлическим колпачком, который накрывает схему при операции наложения рамки- на ком,мута1ционную плату..

На фиг. 1 схематически изображена коммутационная плата интегральной схемы с конTaiKTHbiiMH площадками и коммутационными ЛИ1ИИ1ЯМИ1; на фиг. 2 показана коммутационнаяплата с интегральной схемой в ее центре; на фиг. 3-гребенка, на рамке которой находятся внещние выводы и колпачок, црезназначенный для защиты схемы; на фиг. 4- гребенка, наложенная на плату с микросхемой. ,

|Предлагаемый способ пре|дполагает следующую последавательность операций. Коммутационные щины / в контактные площадки 2 и 3 изготовляют методо1м вакуумного напыления металлов с последующей фотогра-вировкой.

слоев. На коммутационную плату 4 устанавливают интепральную схему 5 (етодом «перевернутого (и1ли обращенного) кристалла, совмещая контактные площадки схемы с ввутренниМи конта1ктным1и площадками 2 платы 4, «

ле этого на ко1М|Мутационную плату 4 с iMWi poохемой 5 накладывают металлическую гребеаку 6, изготовленную шта1М1ПОвкой, с внешниаш выводами 7 и защитным колюачком 8. КолшачОК накладывается на микросхему, внешние выводы грабенки со1В мещают с |Внешни1ми кон-/ тактными площадками 5 каМ|Мутащионной платы 4, затем внашние выводы одновременно припаивают к контактным шлощадкам (выводам) 5. Далее микросхему 5 .герметизируют в корпус, напри мер, отрессовывают пластмассой, и обрезают рамку 9 (Гребенки-.

iB процессе герметизации микросхемы колпачок 8 защищ ает интегральную схему 5 от возможного сдви1га или отрыва от внутренних П1лощадок 2. Это |повы1шает надежность микросхем HI уменьшает процент брака. Одновременно колпачок защищает мнкросхему от климатических воздействий и является электрическим экраном.

iBice перечисленные лроцессы могут быть по л ностью а ВТО м а тизиро ва н ы.

П р е д iM е т и з о i6 р е т е н и я

Способ оборки интегрального мякроузяа, включающий операцию соединения полупроводниковой пластины со схемой методом «обращенного кристалла с токоведущими дорожками колямутащионной ллаты, на которую затем накладывают рамку с внещними выводами, припаиваемыми к внещним контактньш Площадкам коммутационной платы, с последующей герметизацией в корлус, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годНЫ1Х изделий, после 1монтажа на |Плату схему накрывают металлическим колпачком, расположенным на рамке с внащними выводами.

8

РигЗ

-G

игМ