Изобретение относится к способам полупроводникового производства и может быть использовано ири получении поликристаллического кремния.
Известен способ автоматического управления процессом получения чистых материалов из газовой фазы с осаждением на твердую подложку, включающий автоматический поиск и поддержание оптимальных значений входных параметров.
Однако в таком способе исключен важный параметр-давление газовой фазы в объеме реактора, что существенно затрудняет оптимальное управление процессом реакционной зоны.
Целью изобретения является увеличение скорости осаждения, например, поликристаллического кремния на твердую подложку.
Для этого по предложенному способу поиск экстремума производят с учетом давления газовой фазы в реакторе.
На чертеже приведена структура системы автоматического управления для реализации предложенного способа управления.
Избыточное давление газовой фазы в реакторе / измеряется с помощью датчика 2, выходной сигнал которого подается в вычислительное устройство 3. Используя информацию
о состоянии других переменных технологического процесса, вычислительное устройство формирует задание для корректирующего устройства 4, которое через исполнительный механизм 5 поддерживает заданное оптнмальное
давление в реакторе.
Предмет изобретения
Способ автоматического управления процессом получения чистых материалов из газовой фазы с осаждением на твердую подложку, включающий автоматический поиск и поддержание оптимальных значений входных иараметров, отличающийся тем, что, с целью увеличения скорости осаждения материала, измеряют давление в газовой фазе, онределяют экстремум давления газовой фазы и регулируют давление в реакционной зоне.
/1арогазо6оя смесь
1| |i
1
Ir
| название | год | авторы | номер документа |
|---|---|---|---|
| СПОСОБ АВТОМАТИЧЕСКОГО УПРАВЛЕНИЯ П ПОЛУЧЕНИЯ ЧИСТЫХ МАТЕРИАЛОВ ИЗ ГАЗО'П п.ft Jh-'•':•••,:оцм?ед>&мй1ОЙ ФАЗЫ" ' | 1967 |
|
SU190580A1 |
| СВЧ ПЛАЗМЕННЫЙ РЕАКТОР | 2023 |
|
RU2804043C1 |
| СИСТЕМЫ И СПОСОБЫ ПРОИЗВОДСТВА ПОЛИОЛЕФИНОВ | 2008 |
|
RU2461577C2 |
| Способ нанесения покрытий изНиОбия HA НАгРЕТую пОдлОжКу | 1979 |
|
SU817092A1 |
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК КАРБИДА КРЕМНИЯ НА КРЕМНИЕВОЙ ПОДЛОЖКЕ | 2012 |
|
RU2521142C2 |
| УСТАНОВКА ПЛАЗМЕННОГО ОСАЖДЕНИЯ И СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ | 2007 |
|
RU2404287C2 |
| СПОСОБ АВТОМАТИЧЕСКОГО УПРАВЛЕНИЯ ПРОЦЕССОМ ПАРОФАЗНОГО СИНТЕЗА СПИРТА | 1974 |
|
SU414240A1 |
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ НИТРИДОВ МЕТАЛЛОВ III ГРУППЫ | 2009 |
|
RU2405867C2 |
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ВЕЩЕСТВА, ВЫБРАННОГО ИЗ РЯДА ТУГОПЛАВКИХ МЕТАЛЛОВ ИЛИ РЯДА НЕМЕТАЛЛОВ: КРЕМНИЙ, БОР, ФОСФОР, МЫШЬЯК, СЕРА | 2005 |
|
RU2298588C2 |
| СИСТЕМЫ И СПОСОБЫ ПРОИЗВОДСТВА ПОЛИМЕРОВ | 2009 |
|
RU2533488C2 |
