Изобретение относится к технологии изготовления квантролов (полупроводниковых переключателей с S-образной симметричной вольт-амперной характеристикой) на основе халькогенидных и оксидных стекол в дискретном исполнении.
Известно, что омические контакты дискретных образцов квантролов выполняются в виде двух графитовых полированных полусфер. Использование в качестве омических контактов графитов любой марки приводит к нестабельности параметров, понижению напряжения срыва, завышению тока пробоя из-за наличия неизбежной пористости и шероховатости на поверхности графита.
Предлагаемый способ изготовления омических контактов со,стоит в следуюш;ем.
Омические контакты выполняются в виде двух электродов, причем форма нижнего электрода представляет собой плоскость, а верхнего - полусферу. В качестве материала омических контактов предлагается стеклоуглерод.
Преимушество стеклоуглерода в том, что он обладает зеркальной поверхностью, пористость которого составляет 0,2-0,4% по сравнению с пористостью графитов, лучшие марки которого имеют пористость порядка, 8-Юа/онием слоя полупроводникового стекла, что является очень важной операцией.
При использовании омических контактов, выполненных из стеклоуглерода, технология изготовления квантролов с.1едующая: а) стеклоуглеродные электроды тщательно обезжириваются в спирте и обезгаживаются в вакуумной установке; б) на подготовленные электроды, например, вакуумным термическим напылением наносится слой полупроводникового стекла; в) оба. электрода собираются в стеклянный корпус и запаиваются в атмосфере аргона.
Сравнительные параметры квантролов с графитовыми и стеклоуглероднымИ омическими контактами приведены в таблице.
КвантрОлы со стекКвантролы с графитовыми
лоуглеродными электродами
электрода.ми
VT 7,5 20 в (пороговое)
10-20 в Vc 1,5-2,5 в (остаточное) 1,5-2,5 в YT 10 -15 ма (пробоя)
1-10 мка ма (выключение) 1-5 ма 3 Предмет изобретен HI я Полупроводниковый переключатель на основе халькогенидных и оксидных стекол с 4 омическими контактами, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности работы прибора, омические контакты выполнены из стеклоуглерода.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Переключатель на основе полупроводникового халькогенидного или оксидного стекла | 1970 |
|
SU314460A1 |
Устройство токоподвода к электроду для электролитического получения окислителей перекисного типа | 2018 |
|
RU2711425C2 |
БИСТАБИЛЬНЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ С ПАМЯТЬЮ | 1976 |
|
SU640618A1 |
БИСТАБИЛЬНЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ | 1976 |
|
SU578802A1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЕРЕКЛЮЧАЮЩЕГО ДИОДА | 1972 |
|
SU339243A1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ АВТОЭМИССИОННОГО КАТОДА | 2013 |
|
RU2526240C1 |
МАТЕРИАЛ И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МНОГООСТРИЙНОГО АВТОЭМИССИОННОГО КАТОДА | 2005 |
|
RU2309480C2 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНОЧНОГО ПОКРЫТИЯ СО СВОЙСТВАМИ УГЛЕРОДНОГО СТЕКЛА И УСТАНОВКА ДЛЯ ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ СПОСОБА | 2006 |
|
RU2340550C2 |
СПОСОБ ЭЛЕКТРОШЛАКОВОГО ПЕРЕПЛАВА МЕТАЛЛА | 2001 |
|
RU2198944C2 |
Способ определения содержания глинозема в криолит-глиноземном расплаве и электрохимическое устройство для его осуществления | 2020 |
|
RU2748146C1 |
Даты
1971-01-01—Публикация