ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ Советский патент 1971 года по МПК H01L29/54 

Описание патента на изобретение SU291622A1

Изобретение относится к технологии изготовления квантролов (полупроводниковых переключателей с S-образной симметричной вольт-амперной характеристикой) на основе халькогенидных и оксидных стекол в дискретном исполнении.

Известно, что омические контакты дискретных образцов квантролов выполняются в виде двух графитовых полированных полусфер. Использование в качестве омических контактов графитов любой марки приводит к нестабельности параметров, понижению напряжения срыва, завышению тока пробоя из-за наличия неизбежной пористости и шероховатости на поверхности графита.

Предлагаемый способ изготовления омических контактов со,стоит в следуюш;ем.

Омические контакты выполняются в виде двух электродов, причем форма нижнего электрода представляет собой плоскость, а верхнего - полусферу. В качестве материала омических контактов предлагается стеклоуглерод.

Преимушество стеклоуглерода в том, что он обладает зеркальной поверхностью, пористость которого составляет 0,2-0,4% по сравнению с пористостью графитов, лучшие марки которого имеют пористость порядка, 8-Юа/онием слоя полупроводникового стекла, что является очень важной операцией.

При использовании омических контактов, выполненных из стеклоуглерода, технология изготовления квантролов с.1едующая: а) стеклоуглеродные электроды тщательно обезжириваются в спирте и обезгаживаются в вакуумной установке; б) на подготовленные электроды, например, вакуумным термическим напылением наносится слой полупроводникового стекла; в) оба. электрода собираются в стеклянный корпус и запаиваются в атмосфере аргона.

Сравнительные параметры квантролов с графитовыми и стеклоуглероднымИ омическими контактами приведены в таблице.

КвантрОлы со стекКвантролы с графитовыми

лоуглеродными электродами

электрода.ми

VT 7,5 20 в (пороговое)

10-20 в Vc 1,5-2,5 в (остаточное) 1,5-2,5 в YT 10 -15 ма (пробоя)

1-10 мка ма (выключение) 1-5 ма 3 Предмет изобретен HI я Полупроводниковый переключатель на основе халькогенидных и оксидных стекол с 4 омическими контактами, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности работы прибора, омические контакты выполнены из стеклоуглерода.

Похожие патенты SU291622A1

название год авторы номер документа
Переключатель на основе полупроводникового халькогенидного или оксидного стекла 1970
  • Юрлова Г.А.
  • Лиогонький Б.И.
  • Шамраев Г.М.
  • Берлин А.А.
  • Коломиец Б.Т.
SU314460A1
Устройство токоподвода к электроду для электролитического получения окислителей перекисного типа 2018
  • Потапова Галина Филипповна
  • Мантузов Антон Викторович
  • Воронцов Павел Сергеевич
RU2711425C2
БИСТАБИЛЬНЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ С ПАМЯТЬЮ 1976
  • Панфилов Б.А.
SU640618A1
БИСТАБИЛЬНЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ 1976
  • Панфилов Б.А.
  • Елинсон М.И.
  • Симаков В.В.
  • Воробьев А.В.
  • Поветин А.В.
  • Аникин В.К.
  • Смакаева Р.У.
  • Степанов Г.В.
SU578802A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЕРЕКЛЮЧАЮЩЕГО ДИОДА 1972
SU339243A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ АВТОЭМИССИОННОГО КАТОДА 2013
  • Соколова Татьяна Николаевна
  • Конюшин Александр Валентинович
  • Сурменко Елена Львовна
  • Попов Иван Андреевич
  • Бессонов Дмитрий Александрович
RU2526240C1
МАТЕРИАЛ И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МНОГООСТРИЙНОГО АВТОЭМИССИОННОГО КАТОДА 2005
  • Яфаров Равиль Кяшшафович
  • Муллин Виктор Валентинович
  • Семенов Владимир Константинович
RU2309480C2
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНОЧНОГО ПОКРЫТИЯ СО СВОЙСТВАМИ УГЛЕРОДНОГО СТЕКЛА И УСТАНОВКА ДЛЯ ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ СПОСОБА 2006
  • Башарин Андрей Юрьевич
  • Букалов Сергей Сергеевич
  • Турчанинов Михаил Александрович
RU2340550C2
СПОСОБ ЭЛЕКТРОШЛАКОВОГО ПЕРЕПЛАВА МЕТАЛЛА 2001
  • Жуковский Ю.Г.
  • Пронкин А.А.
RU2198944C2
Высокотемпературная печь для вытяжки стекловолокна 1986
  • Аникин Л.Т.
  • Ботвинкин М.И.
  • Григорьянц В.В.
  • Милявский Ю.С.
  • Попов М.Ф.
  • Сторожев В.В.
SU1349184A1

Реферат патента 1971 года ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ

Формула изобретения SU 291 622 A1

SU 291 622 A1

Даты

1971-01-01Публикация