СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ Советский патент 1973 года по МПК H01L21/479 

Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов на оснаве стеклообразных полупроводников.

Из1вестан способ П:р01И31водст1ва полупроводниковых стеклообразных переключателей путем электрофоретического осаждения частиц нолунроводникового стекла из суспензии на один из двух помещенных в данную суспензию эле1{тродов при постоянной разности потенциалов между ними.

Для получения полупроводникового слоя, переменного по толщине, предложено электрод, на котором происходит осаждение материала, выполнять из резистивного материала и создавать на нем потенциальный рельеф, -соответствующий рельефу наносимого материала.

После измельчения любым известным методом полупроводникового аморфного материала и получения суснензии с диспергированными в ней частицами аморфного материала размером порядка одного микрона и соответствующей режиму осаждения плотностью, нагпример 1,34 -, суспензию помещают з ел

см

циальную ванну. В электрическом контакте с суспензией находятся два электрода, на которые поступает постоянное напряжение. Электрод, на котором происходит осаждение

аморфного полупроводника, выполняют из резистивного материала.

В качестве такого материала можно использовать манганин с удельным сопротивлением 0,42-0,48 ОЛ1 , константан с удельным сопротивлением 0,48-0,52 ом , окись олова и др.

В зависимости от того, какой прибор готовится, выбирают ту или иную форму электрода и соответствующий материал для его изготовления. С помощью дополнительного источника тока на резистивном электроде создают потенциальный рельеф, в простейшем случае вида grad const, что в свою очередь обусловливает высаживание материала, толщина которого повторяет потенциальный рельеф. Для перевода аморфного материала в стеклообразный проводят термическую обработ ку получеиного слоя путем пропусканигт импульсов тока через резистивный электрод.

Способ позволяет существенно упростить технологию нанесения различных по толщине, а также переменных по толщине слоев аморфного материала.

Предмет изобретения

Способ изготовления полупроводниковых приборов на основе аморфных полупроводников путем их электрофоретического осаждения на электрод-подложку с последующей термической обработкой, отличающийся тем, что, с целью получения полупроводникового слоя, переменного по толщине, электродподложку выполняют ИЗ резистивного материала и на нем создают потенциальный рельеф, соответствующий рельефу напосимого материала, например, дополнительным источником тока,