Предложенная ячейка относится к ооласти вычислительной техники и может быть ислользов-ана при .построении устройств хранения дискретной ииформадии.
Известны запоминающие ячейки на сплошной оверхпроводяицей лленке, содержащие нлевки управления, пленку считывания и расположенную между нилги запоминающую нленку.
Основньгми недостатками известных за1поминающи х ячеек являются конструктивная сложаость и малые до-пуоки на величину рабочих токов.
Цель изобретения - расширение допус7 ов «а рабочие токи и повыше&ие надел-сности работы запоминающей ячейки.
Указанная цель достигается путем того, что одна из пленок управления выполнена биметаллической и состоит из двух пленок, изготовленных из сверхлровоаников с различ,ными значениями критической температуры и имеющих различную шН|рину, причем указанные плевки имеют между собой сверх праводя1щий контакт, и пленка, изготовленная Из сверхпроводника с меньшим значением критической температуры и имеющая большую ширину, расположена между пленкой, изготовленной из сверхпроводника с большим значением кюитичеокой тем-пературы, и другой лленкой управления.
Предлагаемая запоминающая ячейка отличается также тем, что биметаллическая пленка управления может быть .вьтолнеиа из свинца и индия.
Конструкция предложенной ячейки поясняется чертежом, где: / - анэлектрическая поалож1ка; 2 - свинповый экран; 3 - пленка считывания; 4 - запоминающая пленка; 5 - биметаллическая пленка Xу.правлениЯ, состоящая из пленки 6 из свинца и щпрокой пленки 7 из индия, имеющих между -собой сверхифоводяший контакт; iS-пленка У-управления.
В связи ic тем, что критическая температура индия Тс 3,407° К ниже, чем критическая температура олова Тс 3,722° К, рабочая температура выбирается равной 3,3° К. Поэтому небольшое магнитное поле тока Уушравления достаточно для перевода в нормальное состояние индиевой лленки 7. В отсутствие тока У-унравления ток /д.. равномерно раопределяется по всему сечению пленки 5.
Предложенная ячейка работает следуюЩИМ о(бразом.
Для записи информации подаются импульсы токов соответствующей полярности в пленки управления 5 и 8. При полувыборке величина тома недостаточна для 1разруше.ния оверхпроводимости оловян1ной запоминающей плеики 4. При наличии тока /д. сверхпроводимость индия разрушается, так что весь ток /я: пераключается в плен-ку 6. Очевидио, что ,напрял ен,ность магнитного поля TOiKa /6 в WjlW (Wi - :ши1ри1на соответствующей пленКи) больше иапряженности магнитного поля тока /7. Она о.казывается достаточной для разрушения свврхпроводшмости оловянйой заломиваЮЩей 1плвн1ки 4. По окончании импульсов токов /е /г- и /у восстанавливается сверх1ироводимо1сть запоминающей пленки, а в месте пересечения пленок управления 5 и 8 захватывается магный поток, соответствующий хранению «1 или «О в зависимости от его .направления. При считывании на пленке 3 -появляется имлульс напряжения лищь в том случае, копда в ячейке записана «1. Преимуществом предложенной ячейки по сравнению с известньши является возможность подбо1ром соответствующей щирины индиевой и свилдовой пленок получать практически любые значения доиуоков на рабочие таки, что, в свою очередь, значительно повышает надежность работы запоминающей Ячейки при ее достаточной конструктивной простоте и -малых габаритах. Предмет изобретения 1.Запоминающая ячейка на сплошной сверхпроводящей пленке, содержащая пленки управления, пленку считывания и расположенную между ними зашоминающую пленку, отличающаяся тем, что, с целью (раощирения допусков на ра бочие токи и повыщения надежности ра-боты ячейки, одна из пленок управления выполнена биметаллической и состоит из двух пленок, изготовленных из сверх1проводннков с различными значениями критической температуры и имеющ:их различную ширину, причем указанные пленки имеют между собой сверхпроводящий контакт, и пленка, изготовленная из сверхпроводника с меньшим значением критической температуры и имеющая большую ширину, расположена между нленкой, изготовленной из оверхпроводника с большим значеиием критической температуры, и другой пленкой ушравления. 2.Запоминающая ячейка по п. 1, отличающаяся те.м, что биметаллическая пленка управления выполнена из свинца и индия.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
ВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ СВЕРХПРОВОДЯЩИЙ ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ | 2013 |
|
RU2554612C2 |
СВЕРХПРОВОДНИКОВЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ | 1999 |
|
RU2181517C2 |
ДЖОЗЕФСОНОВСКИЙ МАГНИТНЫЙ ПОВОРОТНЫЙ ВЕНТИЛЬ | 2015 |
|
RU2601775C2 |
УСТРОЙСТВО ДЛЯ РЕГИСТРАЦИИ ИОНИЗИРУЮЩИХ ЧАСТИЦ | 1998 |
|
RU2149425C1 |
ДЖОЗЕФСОНОВСКИЙ ФАЗОВЫЙ ДОМЕННЫЙ ВЕНТИЛЬ (ВАРИАНТЫ) | 2016 |
|
RU2620027C1 |
Устройство для формирования сверхпроводящего контакта джозефсона | 1972 |
|
SU442539A1 |
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ СВЕРХПРОВОДЯЩЕГО ПЛЕНОЧНОГО ПОКРЫТИЯ И ПРОВОДНИК НА ЕГО ОСНОВЕ | 2000 |
|
RU2199170C2 |
Сверхпроводниковый приемник теплового излучения | 1979 |
|
SU807938A1 |
Сверхпроводящий термометр сопротивления | 2020 |
|
RU2756800C1 |
ДЖОЗЕФСОНОВСКИЙ 0-ПИ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ | 2013 |
|
RU2554614C2 |
mZZZZZZZ ZZz/////77773f
Даты
1972-01-01—Публикация