ТРАНЗИСТОРНО-ТРАНЗИСТОРНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ ЭЛЕА^ЕНТ«И —НЕ» Советский патент 1972 года по МПК H03K19/88 

для поет;)0еи:;я ет;)ейс1Л ;: Э1 екрстно авт(;ма1 п-:;:.

Из в ест с:; T|ia;i.;:ici ор; 1ьтр;;: з;чте; i:,. fi гичее-ли 3;ie},;ei:r И lil:, с Чч.;х

сложа Ь|Й :i:iiK4}Tiip.

1.1ел: изг орстсиая Mcin aiei;::e аал,с KO,:i;niecTBa аслльаклт-в а iiл :;;.л: MoiiuocTii. Лоста:ается ;а:а ic.:, аг а агаемом элемеа1-е cao i ibi;i аазерТ1 а ciaa а ааа1азта;) loiuaii }.л:(.:.. TOpHi) тра1;з;:ето аз i-aaaaua :са: рого c(e;iaaei с маз;а на1р аи ча;аа: la; T(ii)a, а да аС11 с ама1 ;саом аа:а: а траизастора а ва;хаааа; i-aa/м iiaa

На аертсже irjaiiu-avaia T-aiaaj:ci тра1ГЗ а:аго:ас а; vл с 4aaiaa

np;i Bi)ic() уровне ;а асс-х вха;а резистора 2 протекает асрез аолЛактар зиетсюа 3 и базу л: аааа-;о;атек1а)аа:аа: ip тора 4. П;.следа|л; ат;;арается а а(а;а-; iiacixiueaiia, llaa дпс-TaTi aai auaii етн кол.тектороз транзас;ора -/ аауа. насыщения коллса ;(ipiai а а; а - ;:

aia м( отлачаться на

ла- aaaajiaaa-i транзистоа; : ада ала ааага (аа.а;1елааас ; с : наакнй }раааа :.а; аааааа-;с;апо насыaiaЛ(1;ааесаиа

;uaa слаа-;ав;и ина :то, с целью

;ааеатва аамаоненста. ii сложный

з|-чаа;й а ; ;Вертаifi :: аа 1;етор. один

аеаааен с иаД1 аоа с чм ттсааа; и aaixiiaaon