ИОНОТРОН Советский патент 1973 года по МПК G11C11/35 

Описание патента на изобретение SU376806A1

Изобретение относится к области электроники.

Известны ионотроны, выполненные на основе полупроводникового выпрямляющего контакта селен-кадмий, которые содержат электрод, слой кадмия, слой селена, легированного серебром, слой селена, в котором серебро отсутствует, и второй электрод с невыпрямляюпдим контактом.

Однако в таких ионотронах после воздействия на них в течение длительного времени (больше определенного критического) формирующим напряжением в пропускном направлении изменяется их рабочий режим, а при тако.м многократном воздействии постепенно ослабевают их релаксационные свойства, являющиеся физической основой действия этих приборов. В конечном результате они выходят из строя.

С целью устранения этих недостатков предлагаемый ионотрон содерл-гит второй слой селена, легированного серебром, и слой кадмия. Причем эти слои расположены между слоем нелегированного селена и электродом, образующим с ним невыпрямляющий контакт, в следующей последовательности: электрод, слой кадмия и слой селена, легированного серебром.

На чертеже показана схема предлагаемого ионотрона.

Ионотрон содержит электроды /, слой кадмия 2, слой селена 3, легированного серебром, идентичные по геометрическим размерам и степени легирования, слой 4 поликристаллического гексагонального селена, в котором серебро отсутствует. В предлагаемом ионотроне по мере перевода одного из релаксирующих контактов ионотрона в одно крайнее состояние, в котором он обладает, например, наибольщим сопротивлением, другой контакт в то же время переводится в другое крайнее состояние, в котором

он обладает соответственно наименьшим сопротивлением. Благодаря этому во время формирования ионотрона происходит перераспределение напряжения в его приэлектродных областях, и, следовательно, в том случае, когда

любой из релаксирующих контактов достигает крайнего состояния с наименьшим сопротивлением (это состояние достигается при формировании контакта в пропускном направлении), того напряжения формирования, которое падает на него, становится недостаточно для дальнейшего изменения его состояния.

Таким образом, даже при длительном формировании ионотрона в пропускном направлении его рабочий режим практически не изменяется.

Предмет изобретения

Ионотрон, содержащий иевыпрямл.яющий контакт, выпрямляющий контакт и распо.тоженные между ними слой селена, нелегированпого серебром, и слой легированного селена, отличающийся тем, что, с целью повыщения стабильности его работы и увеличения срока

службы, невынрямляющий контакт через дополнительно введенные слой кадмия и слой селена, легированного серебром, соединен со слоем .нелегированного селена, а слой селена, легированного серебром, через дополнительно введенный слой кадмия соединен с выпрямляющим контактом.

Похожие патенты SU376806A1

название год авторы номер документа
ЗАПОМИНАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ 1973
  • Витель А. А. Чеснис В. Б. Толутис
SU386445A1
§С?ООЮЗНД>&1 1973
  • А. А. Алексеюнас, В. Б. Толутис А. А. Чеснис
SU368646A1
ЗАПОМИНАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ-ИОНОТРОН 1962
SU148277A1
Запоминающий элемент 1977
  • Приходько Александр Владимирович
  • Чеснис Антанас Антано
SU637865A1
ИНТЕГРАЦИЯ СВЕТОДИОДОВ НА НИТРИДЕ ГАЛЛИЯ С ПРИБОРАМИ НА НИТРИДЕ АЛЮМИНИЯ-ГАЛЛИЯ/НИТРИДЕ ГАЛЛИЯ НА КРЕМНИЕВЫХ ПОДЛОЖКАХ ДЛЯ СВЕТОДИОДОВ ПЕРЕМЕННОГО ТОКА 2013
  • Чунг Теодор
RU2615215C2
СИНЕ-ЗЕЛЕНЫЙ ЛАЗЕРНЫЙ ДИОД 1992
  • Хаас Майкл А.
  • Ченг Хва
  • Депьюдт Джеймс М.
  • Ки Юн
RU2127478C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКОГО КОНТАКТНОГО СЛОЯ И ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО II-VI ГРУПП 1992
  • Хаас Майкл А.
  • Ченг Хва
  • Депьюдт Джеймс М.
  • Ки Юн
RU2151457C1
УСТРОЙСТВО для ВИЗУАЛЬНОГО НАБЛЮДЕНИЯ ВОЛЬТАМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК л—л-ПЕРЕХОДА 1970
SU280679A1
ЭЛЕКТРОДНОЕ СРЕДСТВО С ФУНКЦИОНАЛЬНЫМ ЭЛЕМЕНТОМ ИЛИ БЕЗ НЕГО И ЭЛЕКТРОДНОЕ УСТРОЙСТВО, СФОРМИРОВАННОЕ ИЗ ЭЛЕКТРОДНОГО СРЕДСТВА С ФУНКЦИОНАЛЬНЫМИ ЭЛЕМЕНТАМИ 1998
  • Инганес Олле Вернер
  • Педе Данило
  • Гранстрем Магнус
  • Лейстад Гейрр И.
RU2216820C2
Способ изготовления селеновых выпрямителей 1960
  • Смирнов А.С.
  • Геллер И.Х.
  • Гринберг И.С.
  • Книгин П.И.
  • Мурыгин В.И.
  • Прохоров В.И.
  • Яхно П.Я.
SU144912A1

Иллюстрации к изобретению SU 376 806 A1

Реферат патента 1973 года ИОНОТРОН

Формула изобретения SU 376 806 A1

/ 2 3

SU 376 806 A1

Авторы

А. А. Чеснис В. Б. Толутис Институт Физики Полупроводников Литовской Сср

Даты

1973-01-01Публикация