ЗАПОМИНАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ-ИОНОТРОН Советский патент 1962 года по МПК G11C11/35 

Предлагается запоминающий элемент-ионетрон, отличающийся тем, что для придания элементу свойств изменения своего состояния со скоростью, зависящей от величины приложенного электрического напряжения, в запирающий слой контакта введена подвижная компенсирующая примесь, например серебро.

Описываемый запоминающий элемент - ионотрон выполнен на основе полупроводникового выпрямляющего контакта, например, селен-металл, причем полупроводник легирован подвижной компенсирующей примесью (например, серебром), концентрация которой несколько меньще концентрации основных примесных центров в полупроводнике.

Действие ионотрона основано на изменении параметров вольтамперной. и вольтемкостной характеристик выпрямляющего контакта вследствие изменения распределения примесных центров серебра в запирающем слое под действием приложенного на иопотрон внешнего напряжения. Даже при незначительном внешнем напряжении на иоиотроне в запирающем слое выпрямляющего контакта возникает сильное электрическое поле, под действием которого протекает электродиффузия компенсирующих примесных центров. В зависимости от полярности приложенного напряжения соотношение концентрации собственных и компенсирующих примесных центров н

запирающем слое или увеличивается или уменьшается.

При данной величине внешнего напряжения на ионотроне через определенный промежуток времени (время релаксации) устанавливается определенное равновесное распределение примесных центров в запирающем слое, т. е. возникает определенное стабильное состояние ионотрона. Подачей на нонотрон импульсов напряжения различной полярности допустимо большой величины можно получить два различных устойчивых состояния ионотрона, которые могут быть обозначены «1 и «О, Величина зависит от величины приложенного

на ионотрон внешнего напряжения (она быстро увеличивается с уменьшением напряжения). Вследствие этого можно определить состояние ионотрона без значительных изменений этого состояния, т. е. считывать ипформацию без заметпого разрушения ее.

Самопроизвольное изменение состояния ио 1отрона (,«0) вследствие диффузии компенсирующих примесных центров протекает медленно, поэтому ионотрон может длительное время сохранять записанную информацию без регенерации. 3 Предмет изобретения Запоминающий элемент-ионотрон, вынолненный на основе полупроводникового выпрямляющего контакта, например селен-ме- 5 талл, отличающийся тем, что, с целью прида4ния элементу свойств изменения своего состояния со скоростью, зависящей от величины приложениого электрического нанряжения, в за пирающий слой контакта введена подвижная компенсирующая примесь, например серебро,