ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ Советский патент 1973 года по МПК G11C11/14 

I

Изобретение относится к области запоми.нающих устройств.

Известные элементы памяти содержат ,ма1гнит«ые , расположенные один над другим, изолированные числовую шину считыйайия и выход)1ую шину, находящиеся между rtepfebiiM крайлвл и аредийм магнитными слоями, иэол ированные числовую и разрядную ши«ы за.писи, расположенные ме,жду вторьия крайним и сред«И М магнитныЛ1И слоями.

Однако записа.нная информация и.нверсна по отношению к информации в разрядной ши.не записи.

В предлагавмам элементе для записи информации в прямам и инвероно-м коде по отношению к лнфармации в раврядной шиие записи адежду Ч1ж;ло|вой и разрядной шинаими записи памещен.а дополнительная шина, овделен1на:я от HH-J( изоляционными слоями.

На рис. 1 изображена схема предла гае,мого устройства; на фиг. 2 и 3 - изменение «амапниченности ферромагнитных слоев, а та.кже временные ди атрашмы при- з-аяиси в элемент памяти инверсной и прямой инфор1ма Ц-ии по отношению к информащии в /разрядной шиие записи соответственно.

Устройство состоит из первого крайнего 1, среднего 2 и второго крайнего 5 магнитньгх слоев, числовой шины записи 4, дополнительной шины 5, избляционнаго слоя 6 между шинами 4 и 5, изоляционного слоя 7 между шиной 4 и средним магнитным слоем, разрядной шины записи 8, изоляционного слоя 9 между шин-а-Ми 5 и 8, числовой шины считывания 10, выходной шины /7, изоляционного слоя 12 между шннами 10 и И.

В основу построения диаграмм (см. фиг. 2 и 3) положены непрерывности магВ1ГТНОГО .потока и закон полного тожа для разветвленных магнитных цепей.

Наличие импульса то.ка залиси (любой полярности) в разрядной шине записи соответствует информации в разрядной шдане записи «1, а его отсутствие - соответственно «О.

При считывании информации по числовой шине считывания 10 подают нмпульс тока считывания /.,. Цри этом первый крайний магнитный слой из размагниченного состояния на-ма-гничивается до насышения в нацравлении, показанном на фиг. 2 и 3, S. Согласно закону неггрерьпвнасти .магнитного тока, .ма гнитньш поток первого крайнего магнитного слоя замьикается через второй Крайний .магнитный слйй. Средний магнитный слой ,ра.змагничи1вается под действием собственного .размагничивающего поля.

В результате изменения намагниченно.сти первого ирайнего ма-шитиога слоя придействии /сч в выходной обмотке // индуктируется выходной сигнал «I. Если элемент памяти находится в исходном состоянии «0. (см. фиг. 2 и 3, а), то под действием тока считывания намагниченность слоев не изменяется, и в выходной обмотке сигнал отсутствует.: ,

Запись информации в инверсном коде по отношению к информации в разрядной шине записи. При записи «1 в числовую шину записи 4 после ста.новления состоя.ния намагниченности (ом. фи1Г. 2, в) подают импульс то,ка затиси / (см. фиг. 2, з). При этом в разрядную шину заяиси 8 импульс тока не подают (информация в разрядной шине за.писи соответствует «О. То« I гз пе;ремагничи1вает второй крайний ма;Г|Нит1Ный слой, «следствие чего магнитный поток верхнего слоя за мыкается через средний слой, а нижний магнитный слой размагаимивается (юм. фиг. 2, г). После установки состояния в донолнительную шину записи 5 подают импульс линейного тока /,, (см. фиг. 2, з), который меняет на1Пра|Вление потоков в верхнем и среднем магнитных слоях на обратное. Нижийй матиитный слой при этом остается раэмаПниченны.м (см. флг. 2, е).

При за.писи «О в числовую шину записи 4 подают илшульс тока затиси / и одновременно .в разрядную шину записи 8 - нмпульс раз|ряяного тока //, (информация в разрядной шине записи равна «1). Поля этих таков н.анравлены встречно, так что сум,марн.ое магнитное поле, воздействуюшее на верхний ма-гнитный слой, равно нулю. При этом намагниченность всех слоев элемента не меняется (см. фиг. 2, (Э).

Линейный ток /, подают в шипу 5 после разрядного тока и он только подтверждает предыдушее состояние (см. фиг. 2, ж).

Запись информации в прямом коде по отношению к информации в разрядной шине записи. При записи «I в числовую шину записей 4 подают ИМ-пульс тока записи 1гз (ом. фиг. 3, з). Одновременно в разрядную шину записиS подают и-мпульс разрядного тока //, (информация в разрядной шине соответствует «I), который направлен согласно с током /гз и примерно равен ему по длительности и амплитуде. В этот же мОмент времени в дополнительную шину записи 5 подают импульс линейного тока /,,, амплитуда которого находится в соответствии с выражением:

г .- / . /о

-л р - 2.9 Одлительность может быть равна или несколько больше длительности .каждого из импульсов/р, /гз- Направление тока 1л1 противоположно наор.авлени1Ю таков и Л. Эквивалентное магнитное поле, воздействующее на верхний магнитный слой, перемагничивает его, вследствие чего магнитный коток верхнего слоя замыкается через средний слой, а нижний слой размагничивается ( см. фиг. 3, д.

После установки состояния в .шину 5 подают второй импульс линейного тока /.,2. который меняет направление потоков в верхне. и среднем магнитных слоях на обратное. Нижний магнитный слой при этом остается размагниченным (см. фиг. 3, же).

При записи «О в числовую шину записи 4 подают импульс тока записи /гл- Одновременно в шину 5 подают импульс линейного тока / л1 (см. фиг, 3, з). Импульс тока /;, в

разрядную шину записи 8 при этом не подают (информация в разрядной шине записи равна «О). Магнитные поля токов /г. и / .,i направлены встречно, так что суммарное магнитное поле, воздействующее на верхний магнитный

слой, равно нулю. При этом намагниченности всех слоев элемента не меняется (см. фиг. 3, г)Второй импульс линейного тока Jj2 подают в шину 5 после действия тока гз и он только подтверждает предыдущее состояние (см. фиг.

3, е).

Предлагаемый элемент памяти работает с полными токами считывания и записи. Л1инимальпое значение токов /сч, /гз. //; должно быть больше суммы коэрцитивной силы магнитного материала слоя и размагничиваюшего поля слоя. Для саморазмагничивания магнитного слоя необходимо, чтобы размагничивающее поле превышало коэрцитивную силу магнитного материала слоя.

При этом конструкция элементов не налагает принципиальных ограничений на площадь магнитных слоев и ширину управляющих шин, что позволяет значительно снижать унравляющие токи.

Для устранения полей рассеивания токоведущих шин, возникающих при подаче управляющих токов, на обе стороны элемента может быть помещена изолированная от элемента проводящая фольга, по которой осуществляется возврат токов.

Предмет изобретения

Элемент памяти, содержащий магнитные слои, расположенные один над другим, изолированные числовую шину считывания п выходную шину, находящиеся между первым крайним и средним магнитными слоями, изолированные числовую и разрядную шины записи, расположенные между вторым крайним и средним магнитными слоями, отличающийся тем, что, с целью записи информации в прямом и ипверсном коде по отношению к информации в разрядной шине записи, между числовой и разрядной шинами записи расположена дополнительная шина.

исходное состояние Счигпы6омие,1

Запись,О

П

UcnodHoe „ ис)(однве

состоянир ,0 состояние, 1

6

L

пТ