Элемент памяти Советский патент 1975 года по МПК G11C11/08 

and одинаковы IH в два раза больше площадей сечений каждой из перемычек Ь, с, е, f.

Устройство работает следующим аб,разом.

При считы:ва;ни« информации (ПО ЧИСЛОБОЙ Ш|Ине 5 считывания подают импульс тока считызання /сч. При этом перемычка d (ф|и,г. 1, 2) из размагниченного состояния (фиг. 2, б) намагНИчивается до насыщения в направлении, ,т10)казан,ном па фиг. 2,в. Согласно закону непре1рывност1И магнитного потока, магнитный потоК перемычки d за-мыкается через -перемычку с, памагниче-пность которой 1иэмен1ила1сь на противоположную. Намагшгченность остальных пере/мычек остал,ась прежней. В результате -изменемия намагкичеиности перемычки d при действии тока / сч в выходной шине 4 индуктируется выходной оилнал «1. Е-сли элемент памяти находится в (ИСХОДНОМ соотоянии «О (фиг. 2, а), ТО .под действием тока считыватпия наМа1лн иченность всех перемычек не изменяется, и IB выходной шине сигнал отсутствует (фиг. 2, в, фиг. 3).

При залиси «1 в числ:аБую щгшу 2 записи по окончаеши установлания состояния намагниченности (фиг. 2,0) подают импульс тока записи /73, который .перемапвичивает пере МЫЧКу а. В результате магнитный иото,к пе1пемыч1ки а замыкается через 1перемыч,ки Ь, I, с, е; перемычка d размагн,ич.пвается (фиг. 2,д}. Пасле установюи состояния (фиг- 2, д) в разрядную шину 1 записи подают импульс тока уста1во,вкм /уст-, который меняет направление ПОТОКОВ IB Перемычках а, Ь, с, е, f на обратное. Перемычка d при этом остается Раз1магничен«ой (фиг. 2, ж).

При залиси «О в числовую шину 2 записи подают :ток зашиси f гз- Одновременно в разрядную шину / записи лодают гимпульс тока запрета /запр. - Поля этих TOIKOIB напразлелы встречно, так что суммарное (магнитное поле, воздействующее 1на паре-мычку а, равно нулю. При этом иаМагниченности всех перемычек не меняются (фит. 2, г). Ток устано,вки лодают В шину / после тока залрета, и он только подтверждает предыдущее состояние (фит. 2, е).

Предлагаемый элемент .памяти nLMeeT одностороннее огра1ничен1ие улравляющ их токов (по минимуму), что указывает па его высокую фун1Кци 0 Н1альную надежность.

Предмет изобретения

Элемент памяти, ссдерж ащнй слои ферромагнитного материала, числовую шину считывания И выходную Щ:Ину, расположенные лараллельно и разделенные слоем .изоляционного Дгатериала, а такл.е ч.исловую -и разрядную Щ1ИНЫ залиси, расположенные параллельно и разделенные слоем изоляционного материала, отличающийся тем, что ,с целью упрощения технологии изготовления элемента, в нем Ч исловая щина записи и разрядная щ,ина записи, числовая шина считывания и

выходная шина лоларно охвачены icлoями мзоляционгаого Матер1иала, повер.х которых расположены слои феррома-пнитного М атериала; между слоями ферромагнитного материала расположен заполнитель, .прИчем оба слоя

ферромагнитного материала вместе с заполнителем охвачены общим слоем ферромагнитного материала, толщина которого равна толщи не слоев ферромагнитного материала, ОХватывающих каждую пару шин.

Исходное cocmoflHue, О

Счатыёание,Считыбанив,

Исходное состояние „1