ЗАПОМИНАЮЩАЯ МАТРИЦА
| название | год | авторы | номер документа |
|---|---|---|---|
| УСОВЕРШЕНСТВОВАННОЕ МНОГОРАЗРЯДНОЕ МАГНИТНОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО С ПРОИЗВОЛЬНОЙ ВЫБОРКОЙ И СПОСОБЫ ЕГО ФУНКЦИОНИРОВАНИЯ И ПРОИЗВОДСТВА | 2005 |
|
RU2310928C2 |
| Элемент памяти | 1973 |
|
SU474849A1 |
| ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ | 1988 |
|
RU2075786C1 |
| ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ | 1973 |
|
SU374660A1 |
| Преобразователь угла поворота вала во временный интервал | 1979 |
|
SU855397A1 |
| ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ | 1991 |
|
RU2029391C1 |
| Запоминающая матрица | 1981 |
|
SU970469A1 |
| ТЕХНОЛОГИЯ СОЗДАНИЯ СОЕДИНЕНИЙ СКВОЗЬ МАТРИЦУ ЯЧЕЕК ПАМЯТИ В ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМОМ ЗАПОМИНАЮЩЕМ УСТРОЙСТВЕ | 2015 |
|
RU2661992C2 |
| Ячейка памяти для полупостоянногозАпОМиНАющЕгО уСТРОйСТВА | 1979 |
|
SU805414A1 |
| СПОСОБ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ СОЗДАНИЯ МАГНИТНОГО ПОЛЯ, ЛОКАЛИЗОВАННОГО В НАНОМЕТРОВОЙ ОБЛАСТИ ПРОСТРАНСТВА | 2011 |
|
RU2447527C1 |
Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано при изготовлении устройств хранения дискретной информации.
Известны запоминающие матрицы, содержащие пересекающиеся числовые и разрядные шины, разделенные изоляционным слоем 1 , 2.
Одна из известных запоминающих матриц содержит числовые и разрядные шины, разделенные изоляционным слоем и охваченные м; -нитопроводом 1. Недостатком этой матрицы являются малые выходные сигналы.
Наиболее близким техническим решением к данному изобретению является запоминающая матрица, которая содержит числовые и разрядные шины, разделенные первым изоляционным слоем и охваче1шые вторым изоляционным слоем, и слой магнитомягкого материала, расположенный поверх второго изоляционного слоя 2. Однако в такой матрице невозможна смена информации из-за жестко заданной конфигурации элементов памяти на этапе изготовления фотошаблонов числовых шин.
Целью изобретения является расширение области применения запоминающей матрицы.
Поставленная цель достигается путем того, что запоминающая матрица, содержащая числовые и разрядные шины, разделенные первым изоляционным слоем и охваченные вторым изоляционным етоем, и слой магнитомягкого материала, расположеш1ьш поверх второго изоляционного слоя, содержит третий изоляционный слой, расположенный повер.ч слоя магнитомягкого материала и охваченный слоем магнитотвердого материала.
На фиг. 1 изображена схема расположения числовых и разрядных iiMH запоминающей матрицы; на фиг. 2 - сечение по А-А на фиг. 1; на фиг. 3 временная диаграмма работы элементов памяти матрицы.
Матрица 1 содержит числовые 2 и разрядные 3 шины, разделенные первым изоляционным слоем 4 и охваченные вторым изоляционным слоем 5. Слой магнитомягкого материала 6 расположен поверх второго ИЗОЛЯЩ1ОНКОГО слоя 5, а третт™ и:юляционный слой 7 - поверх слоя 6 и охваче слоем магнитотвердого материала 8. С:юй 7 служит для предотвращения усреднения характеристик слоем магнитомягкого и магните. (;срдого материалов в результате обменного взаи .... ействия между ними.
Параметры магнитных слоев выбраны таким образом, что при намагничивании слоя 8 внешним полем, направленным вдоль участков элементов памяти АВ-ДС, EF-NM, размагничивающее поле этого слоя больше поля насыщения магнитомягкого материала, а магнитный поток слоя 8 полностью замыкается через слой 6.
Матрица работает следующим образом.
Запись информации ос оцествляется с помощью блока, намагничивающего элементы памяти матрицы в соответствии с заданным кодом и вьшолненного в виде отдельного устройства, например, блока магнитных головок. При записи нулей под действием поля, создаваемого блоком магнитных головок, намагничивается слой 8 вдоль участков элементов памяти АВ-ДС, EF-NM. При этом магнитный поток слоя замыкается через слой 6. При записи единицы под действием поля, создаваемого блоком магнитных головок, размагничивается слой 8, внешнее поле этого слоя исчезает, и слой 6 выходит из насыщенного состояния (фиг. 1 и 2).
При считьшании информации по выбранной числовой шине подается импульс тока считьшания сч. При этом в элементах памяти, которые находятся в состоянии единицы, леремагничивается слой 6, так как он выведен из насыщения. В результате в разрядных шинах индуцируется э.д.с. единицы. В элементах памяти, которые находятся Б состоянии нуля, слой 6 не перемагничивается.
так как он находится в насыщении под действием поля магнитотвердого материала, которое существенно превосходит действующее поле, создаваемое током Jc4- В результате в разрядных шинах сигнал отсутствует (фиг. 3).
Введение дополнительных слоев изоляционного и магнитотвердого материалов позволяет менять информацию под действием внешних полей, что расцшряет область применения матриц.
Формула изобретения
Запоминающая матрица, содержащая числовые и разрядные шины, разделенные первым изоляционным слоем и охваченные вторым изоляционным слоем, и слой магнитомягкого материала, расположенньш поверх второго изоляционного слоя, о тличающаяся тем, что, с целью расщирения области применения матрицы, она содержит третий изоляционньш слой, расположенньш поверх слоя магнитомягкого материала и охваченньш слоол магнитотвердого материала.
Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:
Щ5
А
/
Ж Ж8Й$
А Фи. 1 Д С f г S2 N М
ео Л-/1
л/
. J
