ТОНКОПЛЕНОЧНЫЙ ЗАПОМИНАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ Советский патент 1973 года по МПК G11C11/14 

1

Предложенный элемент относится к области вычислительной техники и может быть использован для построения ЗУ цифровых вычислительных машин.

Известен тонкопленочный запоминающий элемент, управляемый однополярными токами и состоящий из анизотропной тонкой магнитной пленки, обладающей значительной дисперсией направления оси легкого намагничивания по площади пленки, и управляющих числовой и разрядной полосковых линий, охватывающих пленку.

Однако такой элемент для записи информации требует больших разрядного и числового токов (большие токи для перемагпичивапия дисперсных пленок обусловлены блокировкой процессов вращательного перемагничивания, наличием в таких пленках вращающейся анизотропии), а считываемый сигнал мал, что обусловлено участием процессов смещения домеиных границ на части площади пленки со значительной дисперсией направления намагничивания.

Целью изобретения является увеличение выходного сигнала и повышение экономичности тонкопленючных запоминающих элементов.

Эта цель достигается путем того, что тонкая магнитная пленка выполнена из двух магнитных слоев, разделенных немагнитной прослойкой. Причем оси легкого намагничивания магнитных слоев составляют острый угол с числовой полосковой линией и отклонены от нее в разные стороны.

На чертеже показан предложенный элемент.

Он состоит из двух взаимно перпендикулярных полосковых линий (числовой 1 и разрядной 2) и расположенной между прямыми и обратными проводниками обеих линий подложки 3 с тонкой магнитной пленкой 4. Пленка 4 состоит из двух магнитных слоев 5 и 6, разделенных немагнитной прослойкой 7. Оси легкого намагничивания слоев, указанные стрелками 8 т 9, составляют между собой угол порядка 10°, а усредненное по толщине пленки направление легкого намагничивания W совпадает с направлением числовой линии. Направление трудного намагничивания, усредненное по толщине пленки,

указано стрелкой //.

Предложенный элемент работает следующим образом. Запись. Запись «О производится путем возбуждения в числовой линии 1 импульса тока, магнитное поле которого насыщает пленку 4 в направлении трудного намагничивания (И). После спада импульса числового тока пленка 4 остается намагниченной в направлении

трудного намагничивания. Причиной этому