СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЗАПОЛ1ИНАЮЩЕЙ МАТРИЦЫ Советский патент 1973 года по МПК G11C11/14 

I

Изобретение относится к области вычислительной техники.

Известен способ изготовления запоминающей матрицы, по которому на стеклянную подложку методом вакуумного напыления наносятся последовательно слои пер.маллоя и меди, из которых методом фотолитографии получают полосы, а на них методом электролитического осаждения наносится еще один слой пермаллоя. В результате получается ряд полосковых линий с замкнутым по оси легкого иамагпичивания .магнитным потоком.

Известен также способ, согласно котором) на .медную подложку последовательно наносят слои пермаллоя, меди и пер.маллоя. Фотолитографией трех слоев получают разрядные шины. Затем всю систему покрывают фоторезистом, который металлизируют медным слоем, нанесенным методом вакуумного напыления. На напыленный слой наносят пермаллой. Фотолитографией двух слоев получают числовые шины.

Однако эти способы имеют плохие рабочие характеристики, вследствие неоднородности магнитных свойств слоев из-за различной структуры поверхностей, па которые осаждаются слои и из-за нанесения магнитных слоев последовательно во времени. Процесс изготовления .матрицы такими способами изза большого числа последовательных операции трудое.мок, а магнитный слой элементов бдного разряда не разделен.

Целью изобретения является улучшснне рабочих характеристик, упрощение и удеп1евление технологии производства.

Эта цель достигается те.м, что на обе стороны фо,1ьги наносят слой магиитного анизотропного .материала, который затем е обеих сторон фотолнтографируют на полосы, иаправлеииые вдоль оси легкого намагничивания и совмещенные между собой. Одну сторону полученной матрицы покрывают слоем эпоксидпой с.молы. который полимеризуют и полученный слой металла .методом фотолитографии разделяют иа адресные проводники, направленные вдоль оси легкого намагничивания магнитць х слоев, а фольгу с магнитными слоями - па разрядные проводники, цаправ.ченные вдоль оси трудного намагничивания.

Матрицу изготавливают .м образом.

На тонкую фольгу с двух сторон одновременно наносят слой анизотропного магиитиого .материала с ирямо толыюй петлей гистерезиса по оси легкого иамагиичпвания и линейной оси трудного на.лгагничивания. Магнитные слои по обеим сторона.м заготовки растравливают с помощью метода фотолитографии иа совмещенные друг с другом полосы, направленные вдоль оси легкого намагничивания магнитного материала. Травление производят до фольги. Остатки фоторезиста, и одну сторону такой заготовки покрывают слоем эпоксидной смолы с отвердителем. Смолу подвергают полимеризации. Слой полимера металлизируют. С помощью метода фотолитографии на металлизированной стороне получают полосы, ориентированные вдоль оси легкого намагничивания (адресные проводники) и со стороны фольги с магнитным слоем - разрядные проводннки, ориентированные вдоль оси трудного намагничивания.

После травления задубленный фоторезист убирают с покрытых магнитных слоев разрядных проводников и торцы ироводников заращивают слоем магнитного материала. Затем остатки фоторезиста с адресных проводников убирают н па адресные проводники методом электрофореза наносят магнитный киппер.

Предлагаемый метод изготовления запоминающих матриц позволяет получить но унрощенной технологии, н на недорогоетоян1,ем технологическом оборудовании однородные но магнитным свойствам качественные магнитные пленки, в результате чего значительно улучшаются характеристики элементов запоминающих матриц.

Предмет изобретения

Способ изготовления запоминающей матрицы путем нанесения слоев магнитного материала на фольгу, отличающийся тем, что, с целью улучщения рабочих характеристик, упрощения и удешевления технологии производства, на обе стороны фольги наносят слой магнитного анизотронного материала, который затем с обеих сторон фотолитографируют на нолосы, направленные вдоль оси легкого намагничивания и совмещенные между собой, одну сторону полученной матрицы покрывают слоем эпоксидной смолы, который нолимеризуют, затем слой емолы металлизируют и полученный слой металла методом фотолитографии разделяют на адресные проводннки, нанравленные вдоль оси легкого намагничивания .магнитных слоев, а фольгу с магнитными слоями - на разрядные проводники, направленные вдоль оси трудного намагничивания.