СТЕКЛО ДЛЯ ИЗОЛЯЦИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ Советский патент 1973 года по МПК C03C3/74 

1

Известное стекло для .изоляции полупроводниковых приборов, включающее РЬО, В2Оз, SiO2 и ZnO, имеет высокую температуру размягчения порядка 640°С.

Для снижения температуры размягчения предлагаемое стекло содержит указанные компоненты в следующих количествах, % по весу:

30-40

РЬО

15-25 ВгОз

5--10 SiOa

35-42 ZnO

, кроме того,

2,0-3,5.

Р205

Например, стекло состава (% по весу): РЬО -основа; ВгОз -22,75; SiOz-10; ZnO- 41,6 и Р205 - 3 получают путем мокрого помола компонентов шихты в присутствии изобутилового спирта до образования суспензии, которую наносят на подложки. Полученный слой стекла высушивают при 140-150°С в течение 15-20 мин, а затем оплавляют при температуре 570-580С.

Стекло описанного состава имеет хорошую адгезию и согласование с коэффициентом термического расширения подложек из ситалла ii арсенида галлия.

Предмет изобретения

Стекло для изоляции полупроводниковых приборов, включающее РЬО, В2О, SiOa, ZnO, отличающееся тем, что, с целью снижения температуры размягчения, оио содержит указанные компоненты в следующих количествах, % но весу:

РЬО30-40

ВзОз15-25

SiOo5-10

Znd35-42

и, кроме того,

Р.ОЭ2,0-3,5.