ГЛАЗУРЬ Советский патент 1973 года по МПК C03C8/02 

1

Изобретение относится к электротехнической промышленности, к области высоковольтных изоляторов. Известна полупро,водящая глазурь, включающая SiO2, АЬОз, РеаОз, TiOa, СаО, MgO, КаО, Na2O, СгаОз.

Цель изобретения - повышение качества глазурованной поверхности и стабилизапия поверхностного сопротивления.

Сырье

Количество, %

Достигается это тем, что полупроводящая глазурь, содержит взятые компоненты в следующих количествах, вес. %: SiOj 57,0-65,7; АЬОз 10,5-12,5; РеаОз 5,2-6,7; TiO2 2,9-3,9; СаО 2,в-3,5; MgO 1,8-2,3; КгО 2,1-2,6; NaaO 1,0-1,4; СгаОд 5,7-7,9; ВаО 3,1-4,2; SnO2 1,5-3,0.

Стехиометрическое соотношение окислов Сч2Оз: Ре2Оз: TiOa должно выдерживаться 1:1:1.

Примеры состава щихты для изготовления глазури.

Тонина помола глазури характеризуется остатком на сите № 0056 0,08-0,1%.

Удельное поверхностное сопротивление изделий из электротехнического фарфора, покрытых полупроводящей глазурью и обожженных при температуре 1330-1350°С, можио получить в диапазоне ом и 5..1оп ом.

Предмет изобретения

Глазурь, включающая SiOa, АЬОз, РегОз, TiOa, СаО, MgO, .К2О, NagO, Сг2Оз, отличающаяся тем, что, с целью обеспечения полупроводящих свойств и улучшения качества покрытия, она содержит взятые компоненты в следующих количествах, вес. % : SiO2 57-65,7; АЬОз 10,5-12,5; Ре2Оз 5,2-6,7; TiOj 2,9-3,9; СаО 2,8-3,5; MgO 1,8-2,3; КгО 2,1-2,6; Na2O 1,0-1,4; Сг2Оз 5,7-7,9 и, кроме того, ВаО 3,1-4,2; SnOa 1,5-3,0.