Полупроводящая глазурь Советский патент 1978 года по МПК C03C9/00 

Изобретение относится к электротехнической промьлшленности и может быть использовано для высоковольтных изоляторов в изоляторной промышленности для получения стабилизированных изоляторов.

Известна полупроводящая глазурь, содержащая 40-55 вес.% S О., &-10 вес.% AgjO, 15-20 вес.% , О,31,5 вес.% СаО, 3-5 вес.% , 0,5-3 вес.% , 8-15 вес.% Т 0,, 3-8 Bec.% fOj, до ОД вес.% S Оо, ij.

Приведенная полупроводяшая глазурь с вводом ОКИСЛОВ металлов Ре я в соответствующей композиции позволяет получить глазурь с поверхностным сопроти&лением уО 10 - 10 Ом.

Полупроводящая глазурь такого состава подвергается в процессе эксплуатации электрокорроаии, т.е. разъеданию глазури, вызваиногО повышенной плотностью тока утечки (например, у электродов изолятора)

Наиболее близким к изобретеншо является состав глазури, содержащий 57-65,7 вес.% si Og, 10,5-12,5 вес.% АВ/г 0, 5,2-6,7 Bw;.% Рерз 2,9-3,9 вес.% TJO,

2,8-3,5 ввс.% СаО, 1,8-2,3 вес.% МбО, 2,1-2,6 вес.% К20, 1-1,4 вес.% XI 5,7-7,9 , 3,1-4,2 вес.% ВаО, 1,5-3 вес.% SrtO 2.

Приведенная полупроводяппая глазурь имеет поверхностное сопротивление IlO Ом, I.e. широкий интервал и вьюокий его уровень.

Такая глазурь, будучи нанесенной на изоляторы, не позволит обеспечить нео&ходимое выделение тепловой мощности за счет токов утечки для нагрева загрязненной поверхности во время увлажнения (туман, роса, изморось и т.д.).

Цель изобретения - создание полупроводящей глазури со стабильным сопротивле- . нием . , ВЫСОКИМ температурным коэффициентом ulogT , повьшшгощим надежность работы ЛЭП в районах с тяжелыми условиями загрязнений.

Это достигается тем, что глазурь содержит, вес.%:

,49-48,80

9,87-12,95

0,10-0,38 ,,

СаО

4,56-7,43 MgO 0,10-0,23

4,0 2,41-4,52

N05,0 0,46-1,9 18,52-23,75

«Oft 7,47-12,98 ZMO В качестве исходных компонентов нользуют белогорский шпат, песок aвдeв&

ский, каолин положскнй, глину веселовскую, мел шидловский, окись титана, окись цинка.

Изделия из электротехнического фосфо ра, покрытые полупроводяхцей глизурью, обжигают при температуре 1320°С.

В таблице приведены качественные показатели предлагаемой полупроводящей глазури.